SI4420DY [PHILIPS]

N-channel enhancement mode field-effect transistor; N沟道增强模式音响场效晶体管
SI4420DY
元器件型号: SI4420DY
生产厂家: NXP SEMICONDUCTORS    NXP SEMICONDUCTORS
描述和应用:

N-channel enhancement mode field-effect transistor
N沟道增强模式音响场效晶体管

晶体 晶体管 脉冲 光电二极管
PDF文件: 总12页 (文件大小:239K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:SI4420DY参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
零件包装代码SOIC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.67
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12.5 A
最大漏极电流 (ID)0.0125 A
最大漏源导通电阻0.009 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1