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描述:
EM6152A  EM614FT8AS-45LF  EM614FT8AU-45LL  EM6160FP32DW-70LF  EM6152A053  EM6160FP16EW-55S  MC79M12  EM6160F32-85LF  EM614FT8GU-70LL  EM614FT16GU-70LL  
BUK482-100A 功率MOS晶体管 (PowerMOS transistor)
.型号:   BUK482-100A
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描述: 功率MOS晶体管
PowerMOS transistor
文件大小 :   55 K    
页数 : 8 页
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品牌   PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
购买 :   
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100%
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK482-100A
概述
N沟道增强模式
在场效应功率晶体管
适用于表面的塑料封套
安装应用程序。
该装置适用于在使用中
汽车和通用
开关应用。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS ( ON)
参数
漏源电压
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力;
V
GS
= 10 V
马克斯。
100
1.8
1.8
150
0.28
单位
V
A
W
˚C
钉扎 - SOT223
1
2
3
4
来源
漏极(选项卡)
描述
引脚配置
4
符号
d
g
1
2
3
s
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲峰值)
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 kΩ
-
T
AMB
= 25 ˚C
T
AMB
= 100 ˚C
T
AMB
= 25 ˚C
T
AMB
= 25 ˚C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
马克斯。
100
100
30
1.8
1.1
7.2
1.8
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
热阻
符号
R
日J- B
R
日J- AMB
参数
从结对板
1
从结点到环境
条件
安装在任何PCB
安装在印刷电路板图17的
分钟。
-
-
典型值。
40
-
马克斯。
-
70
单位
K / W
K / W
1
温度测量1-3毫米的标签。
1998年1月
1
启1.100
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