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BUK542-100A 功率MOS晶体管逻辑电平场效应管 (PowerMOS transistor Logic level FET)
.型号:   BUK542-100A
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描述: 功率MOS晶体管逻辑电平场效应管
PowerMOS transistor Logic level FET
文件大小 :   60 K    
页数 : 8 页
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品牌   PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
购买 :   
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100%
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式
逻辑电平场效应功率
晶体管在一个塑料全包
信封。
该装置适用于在使用中
开关电源
(SMPS) ,电机控制,焊接
的DC / DC和AC / DC转换器,以及
在汽车和通用
开关应用。
BUK542-100A/B
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DS ( ON)
参数
BUK542
漏源电压
漏电流( DC )
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力;
V
GS
= 5 V
马克斯。
-100A
100
6.3
22
0.28
马克斯。
-100B
100
5.6
22
0.35
单位
V
A
W
钉扎 - SOT186
1
2
3
来源
描述
引脚配置
符号
d
g
孤立的情况下,
1 2 3
s
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
±V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲峰值)
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 kΩ
-
t
p
50
µs
T
hs
= 25 ˚C
T
hs
= 100 ˚C
T
hs
= 25 ˚C
T
hs
= 25 ˚C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
-100A
6.3
4
25
22
150
150
马克斯。
100
100
15
20
-100B
5.6
3.5
22
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻结到
散热器
热阻结到
环境
条件
与复合散热器
分钟。
-
-
典型值。
-
55
马克斯。
5.68
-
单位
K / W
K / W
1993年4月
1
启1.100
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