MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
功率MOS晶体管
PHP10N40E孤立版
概述
N沟道增强模式
在一个完整的场效应功率晶体管
包装,塑料外壳具有高
雪崩能量功能,稳定
阻断电压,开关速度快和
高的热循环性能
具有低的热阻。意
在开关电源的使用
电源(SMPS ) ,电机控制
电路和通用
开关应用。
PHX5N40E
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DS ( ON)
参数
漏源电压
漏电流( DC )
总功耗
漏源导通电阻
马克斯。
400
4.9
30
0.55
单位
V
A
W
钉扎 - SOT186A
1
2
3
来源
描述
引脚配置
符号
d
g
孤立的情况下,
1 2 3
s
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号参数
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
DM
I
DR
I
DRM
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲峰值
值)
源极 - 漏极二极管的电流
(DC)的
源极 - 漏极二极管的电流
(脉冲峰值)
总功耗
储存温度
结温
条件
R
GS
= 20 kΩ
T
hs
= 25 ˚C
T
hs
= 100 ˚C
T
hs
= 25 ˚C
T
hs
= 25 ˚C
T
hs
= 25 ˚C
T
hs
= 25 ˚C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
400
400
30
4.9
3.0
19.6
4.9
19.6
30
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
˚C
˚C
雪崩限值
符号参数
W
DSS
条件
分钟。
马克斯。
单位
漏源不重复的我
D
= 10 A; V
DD
50 V; V
GS
= 10 V;
非钳位感应关关R
GS
= 50
能源
T
j
= 25°暴涨之前
T
j
= 100〜前激增
漏源重复
I
D
= 10 A; V
DD
50 V; V
GS
= 10 V;
非钳位感应关关R
GS
= 50
Ω;
T
j
150 ˚C
能源
W
DSR1
-
-
-
520
83
13
mJ
mJ
mJ
1.脉冲宽度和频率限制T
J(下最大)
1996年11月
1
启1.000
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
功率MOS晶体管
PHX5N40E
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
65 % ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻结到
散热器
热阻结到
环境
条件
与复合散热器
分钟。
-
-
典型值。
-
55
马克斯。
4.1
-
单位
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TO )
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
源极 - 漏极二极管的正向
电压
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 400 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 ˚C
V
DS
= 320 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 ˚C
V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 5 A
I
F
= 10 A; V
GS
= 0 V
分钟。
400
2.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
3.0
10
0.1
10
0.4
1.4
马克斯。
-
4.0
100
1.0
100
0.55
2.0
单位
V
V
µA
mA
nA
V
1996年11月
2
启1.000
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
功率MOS晶体管
PHX5N40E
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
t
rr
Q
rr
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
总栅极电荷
门源费
栅漏(米勒)充电
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源极 - 漏极二极管的反向
恢复时间
源极 - 漏极二极管的反向
恢复电荷
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 15 V ;我
D
= 5 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
6
1500
170
70
65
8
37
20
60
200
75
500
6.0
4.5
7.5
马克斯。
-
1800
270
120
-
-
-
40
90
250
90
-
-
-
-
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
µC
nH
nH
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A; V
DS
= 320 V
V
DD
= 30 V ;我
D
= 2.8 A;
V
GS
= 10 V ; ř
GS
= 50
Ω;
R
= 50
I
F
= 10 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 100 V
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
1996年11月
3
启1.000
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
功率MOS晶体管
PHX5N40E
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
10.3
最大
3.2
3.0
4.6
最大
2.9最大
凹口( 2×)
2.5
0.8最大。深度
2.8
6.4
15.8
19
最大。最大。
座位
飞机
15.8
最大
3最大。
不镀锡
3
2.5
13.5
分钟。
1
0.4
M
2
3
1.0 (2x)
0.6
2.54
0.5
2.5
1.3
0.9
0.7
5.08
图1 。 SOT186A ;飞机座位是所有终端电气隔离。
笔记
1.请遵守一般注意事项对静电放电敏感器件(ESDS ),以防止
损坏MOS栅氧化物。
2.请参考F-信封包安装说明。
3.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1996年11月
4
启1.000
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
功率MOS晶体管
PHX5N40E
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
限制值以符合绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。应力大于1
以上的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点,部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
©
飞利浦电子公司1996年N.V。
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息,它被认为是
准确和可靠的,没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1996年11月
5
启1.000
相关元器件产品Datasheet PDF文档

PHX5N50E

PowerMOS transistor Isolated version of PHP8N50E
21 PHILIPS

PHX6N50E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated
22 PHILIPS

PHX6N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated
8 PHILIPS

PHX6NA60E

PowerMOS transistors Low capacitance Avalanche energy rated
16 PHILIPS

PHX6ND50E

PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated
16 PHILIPS

PHX7N40E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated
14 PHILIPS