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描述:
TN5131-8  BU-65142-390W  BU-65142-350K  BU-65142-380W  BU-65142-380S  TN5519-10  BU-65142-400Q  BU-65142-350  BU-65142-400K  BU-65142-370  
PHX5N50E PHP8N50E的功率MOS晶体管隔离版本 (PowerMOS transistor Isolated version of PHP8N50E)
.型号:   PHX5N50E
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描述: PHP8N50E的功率MOS晶体管隔离版本
PowerMOS transistor Isolated version of PHP8N50E
文件大小 :   26 K    
页数 : 5 页
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品牌   PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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100%
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
功率MOS晶体管
PHP8N50E孤立版
概述
N沟道增强模式
在一个完整的场效应功率晶体管
包装,塑料外壳具有高
雪崩能量功能,稳定
阻断电压,开关速度快和
高的热循环性能
具有低的热阻。意
在开关电源的使用
电源(SMPS ) ,电机控制
电路和通用
开关应用。
PHX5N50E
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DS ( ON)
参数
漏源电压
漏电流( DC )
总功耗
漏源导通电阻
马克斯。
500
4
30
0.8
单位
V
A
W
钉扎 - SOT186A
1
2
3
来源
描述
引脚配置
符号
d
g
孤立的情况下,
1 2 3
s
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号参数
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
DM
I
DR
I
DRM
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲峰值
值)
源极 - 漏极二极管的电流
(DC)的
源极 - 漏极二极管的电流
(脉冲峰值)
总功耗
储存温度
结温
条件
R
GS
= 20 kΩ
T
hs
= 25 ˚C
T
hs
= 100 ˚C
T
hs
= 25 ˚C
T
hs
= 25 ˚C
T
hs
= 25 ˚C
T
hs
= 25 ˚C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
500
500
30
4
2.5
16
4
16
30
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
˚C
˚C
雪崩限值
符号参数
W
DSS
条件
分钟。
马克斯。
单位
漏源不重复的我
D
= 8 A; V
DD
50 V; V
GS
= 10 V;
非钳位感应关关R
GS
= 50
能源
T
j
= 25°暴涨之前
T
j
= 100〜前激增
漏源重复
I
D
= 8 A; V
DD
50 V; V
GS
= 10 V;
非钳位感应关关R
GS
= 50
Ω;
T
j
150 ˚C
能源
W
DSR1
-
-
-
510
82
13
mJ
mJ
mJ
1.脉冲宽度和频率限制T
J(下最大)
1996年11月
1
启1.000
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