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NRSG152M63V8X15TRF  NRSG152M35V16X21TRF  NRSG152M63V8X11.5TRF  NRSG152M16V8X11.5TRF  NRSG152M25V6.3X11TRF  NRSG152M100V16X21TRF  NRSG152M63V16X21TRF  NRSG121M100V5X11TRF  NRSG152M25V8X15TRF  NRSG152M6.3V8X20TRF  
PSMN015-100B N沟道晶体管的TrenchMOS (N-channel TrenchMOS transistor)
.型号:   PSMN015-100B
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描述: N沟道晶体管的TrenchMOS
N-channel TrenchMOS transistor
文件大小 :   105 K    
页数 : 9 页
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品牌   PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS ™晶体管
特点
“海沟”
技术
•极低的通态电阻
•快速开关
•低热阻
g
PSMN015-100B , PSMN015-100P
快速参考数据
d
符号
V
DSS
= 100 V
I
D
= 75 A
R
DS ( ON)
15 mΩ
s
概述
SiliconMAX
产品采用了飞利浦最新的Trench技术,实现最低的通态电阻
每个包在每个电压等级。
应用: -
•直流以直流转换器
•开关模式电源
该PSMN015-100P是在SOT78 ( TO220AB )传统的含铅封装。
该PSMN015-100B是在SOT404表面安装封装。
钉扎
1
2
3
TAB
1
来源
描述
SOT78 ( TO220AB )
TAB
SOT404 (D
2
PAK )
TAB
2
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ; ř
GS
= 20 kΩ
T
mb
= 25 ˚C
T
mb
= 100 ˚C
T
mb
= 25 ˚C
T
mb
= 25 ˚C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
100
100
±
20
75
2
53
240
230
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
˚C
1
这是无法接受的连接销:该SOT404包2中
2
最大连续电流限制的包
1999年8月
1
启1.100
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