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SI9925 N沟道增强模式音响场效晶体管 (N-channel enhancement mode field-effect transistor)
.型号:   SI9925
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描述: N沟道增强模式音响场效晶体管
N-channel enhancement mode field-effect transistor
文件大小 :   257 K    
页数 : 13 页
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品牌   PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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100%
Si9925DY
N沟道增强模式音响场效晶体管
M3D315
启示录01 - 2001年7月20日
产品数据
1.描述
双N沟道增强型网络场效果的塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS ™
1
技术。
产品可用性:
Si9925DY在SOT96-1 ( SO8 ) 。
2.特点
s
低通态电阻
s
快速开关
s
的TrenchMOS ™技术。
3.应用
s
s
s
s
s
直流到直流转换器
直流电机控制
锂离子电池应用
笔记本电脑
便携式设备的应用程序。
c
c
4.管脚信息
表1:
1
2
3
4
5,6
7,8
穿针 - SOT96-1 ,简化的外形和符号
描述
源1(S
1
)
8
7
6
5
d1
d2
简化的轮廓
符号
1号门(G
1
)
源2(S
2
)
2号门(G
2
)
漏图2(d
2
)
漏1 (D
1
)
PIN 1 INDEX
03ab52
1
2
3
4
03ab58
g1
s1
g2
s2
SOT96-1 ( SO8 )
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
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