F2001 [POLYFET]

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR; PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管
F2001
元器件型号: F2001
生产厂家: POLYFET RF DEVICES    POLYFET RF DEVICES
描述和应用:

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管

晶体 晶体管 栅
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型号参数:F2001参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Contact Manufacturer
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.36
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.8 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度200 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
子类别FET General Purpose Power
Base Number Matches1