元器件型号: | F2001 |
生产厂家: | POLYFET RF DEVICES |
描述和应用: | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
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型号参数:F2001参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Contact Manufacturer |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.36 |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.8 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高工作温度 | 200 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
子类别 | FET General Purpose Power |
Base Number Matches | 1 |
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管