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9XF1006-S3P  9XFXXX6-S3P  9XF0687-S3P  9ZX21901B  9XF6806-S3P  9ZX21201AKLFT  9XF0686-S3P  9ZX21201BKLF  9XF0476-S3P  9XF2206-S3P  
P4C1049L-55L36MB 高速512K x 8静态CMOS RAM (HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM)
.型号:   P4C1049L-55L36MB
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描述: 高速512K x 8静态CMOS RAM
HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM
文件大小 :   211 K    
页数 : 12 页
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品牌   PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
购买 :   
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100%
P4C1049/P4C1049L
高速512K ×8
静态CMOS RAM
特点
高速(平等机会和循环时间)
- 15/20/25 NS (商业)
- 20/25/35 NS (工业)
- 20/25/35/45/55/70 NS (军事)
低功耗
单5V ± 10 %电源
易内存扩展使用
CE
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-36引脚SOJ ( 400万)
-36引脚FLATPACK
-36引脚LCC ( 452密耳× 920密耳)
描述
该P4C1049是4兆的高速CMOS
静态RAM组织为512Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新,并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 %容差功率运行
供应量。
存取时间快15纳秒允许大大
增强的系统的运行速度。 CMOS是利用
降低功率消耗,以较低的水平。该P4C1049
是一个家庭的RAM PACE ™产品中的一员优惠 -
荷兰国际集团的快速存取时间。
该P4C1049设备提供异步操作
与之相配的访问和周期时间。存储器地址
系统蒸发散是在地址管脚指定的
0
到A
18
。阅读是
通过设备选择( CE )和输出恩完成
abling ( OE ),而写使能( WE)仍然很高。通过
在这些条件下呈现的地址,该数据
在寻址的存储位置,提出在
数据输入/输出管脚。的输入/输出管脚留在
高Z状态时,无论
CE
or
OE
是高还是
WE
is
低。
功能框图
销刀豆网络gurations
焊接密封
FLATPACK (FS -4)的
SOJ ( J9 )
LCC ( L11 )
1519B
文档#
SRAM128
转或
1
修订后的2005年10月
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