HYB18T256160BF-2.5

更新时间:2024-10-29 05:23:38
品牌:QIMONDA
描述:256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

HYB18T256160BF-2.5 概述

256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM 256兆位双数据速率 - 双SDRAM的 DRAM

HYB18T256160BF-2.5 规格参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA84,9X15,32
针数:84Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.72Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):400 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B84长度:12.5 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:84字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA84,9X15,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.044 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.16 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10 mm
Base Number Matches:1

HYB18T256160BF-2.5 数据手册

通过下载HYB18T256160BF-2.5数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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