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EM643FV8AT-85LF  RTAC5206SSDM25S  GS840FH18AT-8.5  AT-635_1  GS880F18AT-8.5I  AT-60B  AT80C51RA2-SLSIM  GS840F32AT-8.5  AT-51CD2-4.000M-STD-PFE-2  GS840F32AT-7.5I  
FM25CL64B-G 64Kb的串行3V F-RAM存储器 (64Kb Serial 3V F-RAM Memory)
.型号:   FM25CL64B-G
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描述: 64Kb的串行3V F-RAM存储器
64Kb Serial 3V F-RAM Memory
文件大小 :   302 K    
页数 : 14 页
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品牌   RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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100%
FM25CL64B - 64Kb的3V SPI F-RAM
RDSR - 读状态寄存器
该RDSR命令允许总线主机验证
状态寄存器的内容。阅读状态
提供有关的当前状态信息
写保护功能。继RDSR OP-
代码中, FM25CL64B会返回一个字节的
状态寄存器的内容。状态寄存器
详细在后面的章节中描述。
WRSR - 写状态寄存器
在WRSR命令允许用户选择
某些写保护功能,通过写一个字节
状态寄存器。在此之前发出WRSR
命令中,/ WP引脚必须为高电平或不活动。记
这对FM25CL64B , / WP只是阻止写作
状态寄存器,而不是存储阵列。之前
发送WRSR命令,用户必须发送一个
WREN命令使能写操作。注意
执行WRSR命令是一个写操作和
因此,清除写使能锁存。
图7. RDSR总线配置
图8. WRSR总线配置( WREN未显示)
黄色)。该WEL标志指示的状态
写使能锁存器。尝试直接写
在状态寄存器WEL位有没有影响其
状态。该位在内部设置,并通过清除
WREN和WRDI命令,分别。
BP1和BP0的内存块写保护位。
它们指定的内存进行写部分
保护成示于下表中。
表3块存储器写保护
BP1
BP0受保护的地址范围
0
0
0
1
1800H到1FFFH (上¼ )
1
0
1000h to 1FFFh (upper �½)
1
1
0000H到1FFFH (全部)
状态寄存器&写保护
该FM25CL64B的写保护功能
多层次的。首先,必须发出WREN操作码
之前的任何写操作。假设写操作
用雷恩启用,写入存储器
由状态寄存器控制。如上所述
上面写状态寄存器执行
使用WRSR命令和服从/ WP
引脚。状态寄存器的结构如下。
表2.状态寄存器
名字
7
WPEN
6
0
5
0
4
0
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
0
位0和4-6分别固定为0 ,并且不能修改。
需要注意的是第0位( “就绪”中的EEPROM )是
不必要的F -RAM的写操作中实时和是
永不占线。该WPEN , BP1和BP0控制写
保护功能。他们是非易失性(阴影
修订版1.2
2011年2月
第14页6
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