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FM25CL64B-G 64Kb的串行3V F-RAM存储器 (64Kb Serial 3V F-RAM Memory)
.型号:   FM25CL64B-G
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描述: 64Kb的串行3V F-RAM存储器
64Kb Serial 3V F-RAM Memory
文件大小 :   302 K    
页数 : 14 页
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品牌   RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
FM25CL64B - 64Kb的3V SPI F-RAM
该BP1和BP0位和写使能锁存
的是防止所述存储器中的唯一机制
从写入。其余的写保护功能
保护无意中更改数据块保护位。
WPEN位控制硬件的效果
/ WP引脚。当WPEN为低电平时, / WP引脚是
忽略不计。当WPEN为高电平时, / WP引脚控制
写访问状态寄存器。这样的状态
寄存器是写保护的,如果WPEN = 1 / WP = 0 。
表4.写保护
WEL
WPEN
/ WP
0
X
X
1
0
X
1
1
0
1
1
1
该方案提供了一个写保护机制,
它可以防止软件写入内存
在任何情况下。如果发生这种情况的BP1和
BP0设置为1, WPEN位被设置为1 ,和/ WP为
设置为0时,因为数据块保护位
防止写入存储器和/ WP信号
硬件防止改变块保护位(如果
WPEN高) 。因此,在这种情况下,硬件
必须参与,允许写操作。该
下表总结了写保护
条件。
保护块
保护
保护
保护
保护
未受保护的块
保护
无保护
无保护
无保护
状态寄存器
保护
无保护
保护
无保护
内存操作
SPI接口,其能够相对
高时钟频率,凸显了快速写
在F - RAM技术的能力。与SPI总线
的EEPROM中, FM25CL64B可以执行顺序
以总线速度写入。无页寄存器是必要的,
可以执行任何数量的顺序写入的。
写操作
所有写入到存储器开始用OP- WREN
与/ CS代码被断言和无效。该
接下来的操作码是写。在写操作码是
接着是两个字节的地址值。上3-
的地址的位被忽略。在总共13位
指定写入的第一数据字节的地址
操作。这是第一个数据的起始地址
在写操作的字节。随后的字节是数据
字节,它们被依次写入。地址是
递增的内部,只要总线主
继续发布时钟和保持/ CS为低电平。如果
1FFFh的是达到最后一个地址时,计数器将推出
到0000h。数据首先写入高位。上升
中/ CS边缘终止写操作。写
操作示于图9中。
EEPROM的使用页面缓存来提高他们的写
吞吐量。该补偿技术“S
天生就慢的写入操作。 F- RAM存储器
没有页面缓冲器,因为每个字节被写入
到F- RAM阵列之后,立即被时钟
(后8
th
时钟) 。这允许任意数目的字节
要写入页面没有缓存的延迟。
读操作
中/ CS下降沿后,主机可以发出
一个READ操作码。下面的READ命令是
一个两字节的地址值。高3位的
地址信息被忽略。在总共13位用于指定
在读操作的第一个字节的地址。这是
读出的第一个字节的起始地址
操作。操作码和地址被发出后,
该设备驱动列于下一个8读出的数据
时钟。中读出的数据在SI输入被忽略
字节。随后的字节是数据字节,这是
依次读出。地址递增
在内部,只要总线主机继续发布
时钟和/ CS为低电平。如果1FFFh的最后地址是
到达时,计数器将翻转到0000h。数据
第一次读到MSB 。中/ CS的上升沿终止
读操作。读操作显示在
网络连接gure 10 。
HOLD
该/ HOLD引脚可被用来中断一个串行
操作时没有中止它。如果总线主机将
在/ HOLD引脚为低电平时SCK为低电平时,电流
操作将暂停。服用/ HOLD引脚为高电平
而SCK为低将恢复操作。该
中/ HOLD转换必须发生在SCK为低,
但SCK引脚可以在保持状态切换。
修订版1.2
2011年2月
第14页第7
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