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FM25CL64B-G 64Kb的串行3V F-RAM存储器 (64Kb Serial 3V F-RAM Memory)
.型号:   FM25CL64B-G
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描述: 64Kb的串行3V F-RAM存储器
64Kb Serial 3V F-RAM Memory
文件大小 :   302 K    
页数 : 14 页
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品牌   RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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100%
FM25CL64B - 64Kb的3V SPI F-RAM
CS
0
SCK
操作码
SI
SO
0
0
0
0
0
0
1
0
X
最高位
X
13位的地址
X 12 11 10
4
3
2
1
0
7
6
数据
5 4
3
2
1
0
最低位
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
LSB MSB
图9.内存写入( WREN未显示)
CS
0
SCK
操作码
SI
0
0
0
0
0
0
1
1
X
最高位
SO
X
13位的地址
X 12 11 10
4
3
2
1
0
LSB MSB
7
6
5
数据
4 3
最低位
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
图10.存储器读
耐力
该FM25CL64B设备能够被
访问至少10
14
次,读取或写入。一个F-
RAM存储器的工作,有读取和还原
机制。因此,一个耐久循环被施加
上一个行的基础上对每个访问(读或写)到
存储器阵列。在F- RAM的体系结构是基于
行和列的阵列。行是通过定义
A12 -A3和列地址由A2- A0 。见座
图(第2 ),该显示阵列1K行
64位各。全行内部访问
一旦是否一个单字节或所有8个字节被读
或写入。该行中的每个字节数只有一次
在一个耐力计算。如下表所示
耐力计算64个字节的重复循环,
它包括一个操作码,一个起始地址和一个
连续的64字节的数据流。这会导致每个字节
体验通过循环1耐力周期。
F-RAM读取和写入耐用性几乎是
无限即使在20MHz的时钟速率。
表5.时间达到忍耐极限为重复64字节循环
SCK频率
耐力
耐力
年达到
(兆赫)
周期/秒。
次/年
极限
12
20
37,310
1.18 x 10
85.1
11
10
18,660
5.88 x 10
170.2
11
5
9,330
2.94 x 10
340.3
修订版1.2
2011年2月
第8页14
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