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CMT0904-X  CMT0904C2730LPX  CMT0904C2731NP  CMT0904C2400NP  CMT0904-X  CMT0904  SG-243  CMT09N20N220  CMT0905A2731NP  CMT0904-X  
FM25CL64B-G 64Kb的串行3V F-RAM存储器 (64Kb Serial 3V F-RAM Memory)
.型号:   FM25CL64B-G
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描述: 64Kb的串行3V F-RAM存储器
64Kb Serial 3V F-RAM Memory
文件大小 :   302 K    
页数 : 14 页
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品牌   RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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100%
FM25CL64B - 64Kb的3V SPI F-RAM
电气规格
绝对最大额定值
符号
描述
V
DD
电源电压相对于V
SS
V
IN
电压的任何引脚相对于V
SS
T
英镑
T
领导
V
ESD
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
静电放电电压
- 人体模型
( AEC - Q100-002牧师E)
- 带电器件模型
( AEC - Q100-011版本B )
- 机型号
( AEC - Q100-003牧师E)
包装湿度敏感度等级
评级
-1.0V至+ 5.0V
-1.0V至+ 5.0V
和V
IN
& LT ; V
DD
+1.0V
-55 ° C至+ 125°C
260° C
4kV
1.25kV
300V
MSL-1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力等级
只是,和该设备在这些或以上在本运算部中列出的任何其它条件的功能操作
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
直流工作条件
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
DD
= 2.7V至3.65V ,除非另有规定)
符号参数
典型值
最大
单位
V
DD
电源电压
2.7
3.3
3.65
V
I
DD
VDD电源电流
@ SCK = 1.0 MHz的
-
0.2
mA
@ SCK = 20.0兆赫
-
3.0
mA
I
SB
待机电流
-
3
6
µA
I
LI
输入漏电流
-
±1
µA
I
LO
输出漏电流
-
±1
µA
V
IH
输入高电压
0.7 V
DD
V
DD
+ 0.3
V
V
IL
输入低电压
-0.3
0.3 V
DD
V
V
OH
输出高电压
-
V
V
DD
– 0.8
@ I
OH
= -2毫安
V
OL
输出低电压
-
0.4
V
@ I
OL
= 2毫安
V
HYS
输入滞后
0.05 V
DD
-
V
笔记
1.
V之间来回切换SCK
DD
-0.3V和V
SS
,其他投入V
SS
或V
DD
-0.3V.
2.
SCK = SI = / CS = V
DD
。所有输入V
SS
或V
DD
.
3.
V
SS
V
IN
V
DD
和V
SS
V
OUT
V
DD
.
4.
特性值,但不是100 %生产测试。仅适用于/ CS和SCK 。
笔记
1
2
3
3
4
修订版1.2
2011年2月
第9页14
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