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CDR32BP151B3W4  CDR32BX101ADWM  CDR32BX109ABUM  CDR32BP301B3W4  CDR32BX101ABWR  CDR32BP1R2B3W4  CDR32BP681B3W4  CDR32BX101ABUM  CDR32BX101BDSR  CDR32BP271B3W4  
FM25H20-DGTR 2MB串行3V F-RAM存储器 (2Mb Serial 3V F-RAM Memory)
.型号:   FM25H20-DGTR
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描述: 2MB串行3V F-RAM存储器
2Mb Serial 3V F-RAM Memory
文件大小 :   335 K    
页数 : 15 页
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品牌   RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
预生产
FM25H20
2MB串行3V F-RAM存储器
特点
2M位的非易失性铁电RAM
组织为256K ×8位
高耐用性100万亿美元( 10
14
)读/写操作
10年的数据保存
无需等待的写入™
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
高达40 MHz的频率
直接的硬件更换为串行闪存
SPI模式0 & 3 ( CPOL , CPHA = 0,0 & 1,1 )
写保护方案
硬件保护
软件保护
低功耗
低工作电压2.7V - 3.6V
睡眠模式电流3
µA
(典型值)。
行业标准配置
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN封装
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC封装
描述
该FM25H20是2兆位非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保持10年
同时消除了复杂性,开销,并且
造成串行系统级可靠性问题
Flash等非易失性存储器。
与串行闪存的FM25H20执行写
操作以总线速度。没有写入延迟发生。
数据立即被写入到存储器阵列
后已经传送到该设备。下一个
总线周期可以开始,而不需要对数据进行
轮询。该产品提供了几乎无限的写入
耐力,比数量级的更多的耐力
串行闪存。此外, F-RAM具有低功耗
消耗比串行闪存。
这些功能使得FM25H20理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入或低功耗操作。示例
范围内的数据的收集,在那里数
写周期可能是至关重要的,要求苛刻的工业
其中,控制串行闪存的写长的时间可以
导致数据丢失。
该FM25H20提供了实实在在的好处给用户
串行闪存的硬件简易替换。
该FM25H20采用高速SPI总线,这
提高F-RAM的高速写入能力
技术。设备规格有保证
在-40 ° C至工业级温度范围
+85°C.
这是在发展的预产期的产物。设备
鉴定完成, Ramtron公司并不期望改变
规格。 Ramtron公司将发行如果有一个产品变更通知
规格更改。
引脚配置
顶视图
/S
Q
/W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
/ HOLD
C
D
S
Q
W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
HOLD
C
D
引脚排列等同于其他SPI F- RAM器件。
引脚名称
/S
/W
/ HOLD
C
D
Q
VDD
VSS
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压(2.7〜 3.6V )
订购信息
FM25H20-DG
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN
FM25H20-DGTR
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN ,
磁带&卷轴
FM25H20-G
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC
FM25H20-GTR
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ
SOIC ,磁带卷&
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器,科罗拉多斯普林斯,CO 80921
( 800 ) 545 - FRAM , ( 719 ) 481-7000
http://www.ramtron.com
2.2版
2010年9月
分页: 15 1
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