预生产

FM25H20

2MB串行3V F-RAM存储器

特点

2M位的非易失性铁电RAM

•

组织为256K ×8位

•

高耐用性100万亿美元（ 10

14

）读/写操作

•

10年的数据保存

•

无需等待的写入™

•

先进的高可靠性铁电工艺

非常快的串行外设接口 - SPI

•

高达40 MHz的频率

•

直接的硬件更换为串行闪存

•

SPI模式0 & 3 （ CPOL ， CPHA = 0,0 & 1,1 ）

写保护方案

•

硬件保护

•

软件保护

低功耗

•

低工作电压2.7V - 3.6V

•

睡眠模式电流3

µA

（典型值）。

行业标准配置

•

工业级温度-40 ° C至+ 85°C

•

8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN封装

•

8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC封装

描述

该FM25H20是2兆位非易失性存储器

采用先进的铁电工艺。一

铁电随机存取存储器或F -RAM是

非易失性和执行读取和写入像

内存。它提供可靠的数据保持10年

同时消除了复杂性，开销，并且

造成串行系统级可靠性问题

Flash等非易失性存储器。

与串行闪存的FM25H20执行写

操作以总线速度。没有写入延迟发生。

数据立即被写入到存储器阵列

后已经传送到该设备。下一个

总线周期可以开始，而不需要对数据进行

轮询。该产品提供了几乎无限的写入

耐力，比数量级的更多的耐力

串行闪存。此外， F-RAM具有低功耗

消耗比串行闪存。

这些功能使得FM25H20理想

需要频繁的非易失性存储器应用

或快速写入或低功耗操作。示例

范围内的数据的收集，在那里数

写周期可能是至关重要的，要求苛刻的工业

其中，控制串行闪存的写长的时间可以

导致数据丢失。

该FM25H20提供了实实在在的好处给用户

串行闪存的硬件简易替换。

该FM25H20采用高速SPI总线，这

提高F-RAM的高速写入能力

技术。设备规格有保证

在-40 ° C至工业级温度范围

+85°C.

这是在发展的预产期的产物。设备

鉴定完成， Ramtron公司并不期望改变

规格。 Ramtron公司将发行如果有一个产品变更通知

规格更改。

引脚配置

顶视图

/S

Q

/W

VSS

1

2

3

4

8

7

6

5

VDD

/ HOLD

C

D

S

Q

W

VSS

1

2

3

4

8

7

6

5

VDD

HOLD

C

D

引脚排列等同于其他SPI F- RAM器件。

引脚名称

/S

/W

/ HOLD

C

D

Q

VDD

VSS

功能

芯片选择

写保护

HOLD

串行时钟

串行数据输入

串行数据输出

电源电压（2.7〜 3.6V ）

地

订购信息

FM25H20-DG

8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN

FM25H20-DGTR

8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN ，

磁带&卷轴

FM25H20-G

8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC

FM25H20-GTR

8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ

SOIC ，磁带卷&

Ramtron的国际公司

1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921

（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000

http://www.ramtron.com

2.2版

2010年9月

分页： 15 1