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MAX9394EHJ  P83C557E4EFB  M38274EF-XXXFS  MB84VD22194EH-90  M38194EF-XXXFP  TLC32044EFN  V1724EHBA  MR16R1624EG0-CM8  P83C654EHPN  P83C524EFA  
FM25H20 2MB串行3V F-RAM存储器 (2Mb Serial 3V F-RAM Memory)
.型号:   FM25H20
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描述: 2MB串行3V F-RAM存储器
2Mb Serial 3V F-RAM Memory
文件大小 :   335 K    
页数 : 15 页
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品牌   RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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100%
FM25H20 - 的2Mb SPI FRAM
S
0
C
1
2
3
4
5
6
7
D
Q
0
0
0
0
高阻
0
1
0
0
图6. WRDI总线配置
RDSR - 读状态寄存器
该RDSR命令允许总线主机验证
状态寄存器的内容。阅读状态
提供有关的当前状态信息
写保护功能。继RDSR OP-
代码中, FM25H20会返回一个字节的
状态寄存器的内容。状态寄存器
详细在下面的部分中描述。
WRSR - 写状态寄存器
在WRSR命令允许用户选择
某些写保护功能,通过写一个字节
状态寄存器。在此之前发出WRSR
命令中,/ W引脚必须为高电平或不活动。先
在发送WRSR命令,用户必须发送
一个WREN命令使能写操作。注意
执行WRSR命令是一个写操作
因此,清除写使能锁存器。公交车
RDSR和WRSR的配置显示
下文。
S
C
D
Q
图7. RDSR总线配置
S
C
D
Q
图8. WRSR总线配置
状态寄存器&写保护
该FM25H20的写保护功能
多层次的。鹪鹩操作码之前,必须发出
编写内存(写)或状态寄存器
( WRSR ) 。保护状态寄存器可
通过使用WPEN位的软件来实现,或
硬件使用/ W引脚。状态寄存器写入
操作被阻止时, / W引脚为低电平,并
WPEN = 1 。存储器写操作是通过保护
2.2版
2010年9月
块保护状态寄存器( BP )位。该
在/ W引脚的状态没有影响对内存写入。
如上所述,写状态寄存器
使用WRSR命令和受执行
WPEN位和/ W引脚。状态寄存器是
安排如下。
表2.状态寄存器
名字
7
WPEN
6
1
5
0
4
0
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
0
第15 6
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