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FM25H20 2MB串行3V F-RAM存储器 (2Mb Serial 3V F-RAM Memory)
.型号:   FM25H20
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描述: 2MB串行3V F-RAM存储器
2Mb Serial 3V F-RAM Memory
文件大小 :   335 K    
页数 : 15 页
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品牌   RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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100%
FM25H20 - 的2Mb SPI FRAM
位0 ,4,5是固定在第0和第6位被固定为1 ,并
这些位可以被修改。需要注意的是第0位
( “写在进步”,在串行闪存位)是
不必要的F -RAM的写操作中实时和是
从未忙碌,所以它读出一个“0”。有一个
例外的情况时,该设备是从起床
睡眠模式,这是在描述如下
页。该BP1和BP0控制软件写入
保护功能。他们是非易失性(阴影
黄色)。该WEL标志指示的状态
写使能锁存器。尝试直接写
在状态寄存器WEL位有没有影响其
状态。该位在内部设置,并通过清除
WREN和WRDI命令,分别。
BP1和BP0的内存块写保护位。
它们指定的内存进行写部分
保护成示于下表中。
表3块存储器写保护
BP1
BP0受保护的地址范围
0
0
0
1
30000H到3FFFFH (上¼ )
1
0
20000h to 3FFFFh (upper �½)
1
1
00000H到3FFFFH (全部)
表4.写保护
WEL
WPEN
0
X
1
0
1
1
1
1
该BP1和BP0位和写使能锁存
的是防止所述存储器中的唯一机制
从写入。其余的写保护功能
保护无意中更改数据块保护位。
WPEN位控制硬件引脚的作用
/ W 。当WPEN = 0, / W引脚被忽略。当
WPEN = 1, / W引脚控制写访问
状态寄存器。因此,状态寄存器处于写
只有当WPEN = 1和/ W引脚为低的保护。
该方案提供了一个写保护机制
它可以防止软件写入内存
在任何情况下。如果发生这种情况的BP1和
BP0设置为1, WPEN位被设置为1 ,并且/ W的
引脚为低。这是因为数据块保护位
防止写入存储器和/ W信号
硬件防止改变块保护位(如果
WPEN高) 。因此,在这种情况下,硬件
必须参与,允许写操作。该
下表总结了写保护
条件。
/W
X
X
0
1
保护块
保护
保护
保护
保护
未受保护的块
保护
无保护
无保护
无保护
状态寄存器
保护
无保护
保护
无保护
内存操作
SPI接口,其能够相对
高时钟频率,凸显了快速写
在F - RAM技术的能力。不同于系列
闪光灯, FM25H20可以执行连续写入时
总线速度。没有页面缓冲是必要的,任何数目的
顺序写入可被执行。
写操作
所有写入到所述存储器阵列以一个雷恩
操作码。接下来的操作码是写指令。
此操作码后面跟着一个三字节的地址
值,它指定了第一的18位地址
在写操作的数据字节。注意,第一6-
在最显著地址字节位被忽略。
随后的字节是数据和将其写入
顺序。地址为内部增加
只要总线主机继续发布时钟。如果
3FFFFH的最后一个地址为止,计数器
将翻转到00000H 。数据首先写入高位。一
写操作被示于图9 。
2.2版
2010年9月
不像串行闪存,任何数量的字节可
依次写入并且每个字节被写入到
内存后,立即将其移入(后
8
th
时钟) 。 / S的上升沿终止WRITE
操作码的操作。断言/ W的活性中间
的写操作将有直到下一个没有影响
掉落/ S的优势。
读操作
/ S的下降沿后,主机可以发出
一个READ操作码。根据这一指令是
3个字节的地址值时, 18位指定
在读操作的第一个数据字节的地址。
操作码和地址后是完整的,则D
线被忽略。总线主机发出8个时钟,用
一位读出每一个。地址递增
在内部,只要总线主机继续发布
时钟。如果3FFFFH的最后一个地址到达时,
计数器将翻转到00000H 。数据读取MSB
第一。上升沿/ S终止OP- READ
代码运行。读操作如图
10.
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