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US1J  AGLP030-V2CS289  US1JW  US1J-M3-5AT  US1K  US1JL  AGLP030-V2CS289PP  US1K  AGLP030-V2CSG289PP  US1K  
FM25L04B-DGTR 4KB的串行3V F-RAM存储器 (4Kb Serial 3V F-RAM Memory)
.型号:   FM25L04B-DGTR
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描述: 4KB的串行3V F-RAM存储器
4Kb Serial 3V F-RAM Memory
文件大小 :   208 K    
页数 : 14 页
Logo:   
品牌   RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
购买 :   
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100%
初步
FM25L04B
4KB的串行3V F-RAM存储器
特点
4K位非易失性铁电RAM
组织成512× 8位
高耐用性100万亿美元( 10
14
)读/写操作
38年的数据保存(
@
+75ºC)
无需等待的写入™
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
高达20MHz的频率
直接硬件替代EEPROM
SPI模式0 & 3 ( CPOL , CPHA = 0,0 & 1,1 )
先进的写保护方案
硬件保护
软件保护
低功耗
低工作电压2.7-3.6V
200
µA
工作电流( 1兆赫)
3
µA
( TYP。)待机电流
行业标准配置
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装和TDFN封装
描述
该FM25L04B是4千位的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供了可靠的数据保留38年
同时消除了复杂性,开销,并且
所造成的系统级可靠性问题
EEPROM和其它非易失性存储器。
该FM25L04B执行写操作,在公交车
速度。没有写入延迟发生。数据被写入到
存储器阵列后立即每字节有
被转移到该设备。下一个总线周期
可以开始,而不需要对数据进行轮询。
该FM25L04B能够支持10
14
读/写周期或一百万次以上的写入
环比EEPROM 。
这些功能使得FM25L04B理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入或低功耗操作。示例
范围内的数据的收集,在那里数
写周期可能是至关重要的,要求苛刻的工业
控制在EEPROM的写入长的时间可以
导致数据丢失。
该FM25L04B提供了实实在在的好处给用户
串行EEPROM作为硬件停靠
更换。该FM25L04B使用高速
SPI总线,这增强了高速写入
能力
of
F-RAM
技术。
设备
规格保证在工业
温度范围-40C至+ 85C的。
引脚配置
CS
SO
WP
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
HOLD
SCK
SI
顶视图
/ CS
SO
/ WP
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
/ HOLD
SCK
SI
引脚名称
/ CS
/ WP
/ HOLD
SCK
SI
SO
VDD
VSS
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压
订购信息
FM25L04B-G
FM25L04B-GTR
FM25L04B-DG
FM25L04B-DGTR
“绿色” / RoHS指令的8引脚SOIC
“绿色” / RoHS指令的8引脚SOIC ,
磁带&卷轴
“绿色” / RoHS指令的8引脚TDFN
“绿色” / RoHS指令的8引脚TDFN封装,
磁带&卷轴
这是一个已经固定的目标规格,但受产品
改变正在申请鉴定的结果。
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器,科罗拉多斯普林斯,CO 80921
( 800 ) 545 -F -RAM , ( 719 ) 481-7000
www.ramtron.com
修订版1.3
2011年2月
第14页1
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