2N6796TX [RENESAS]

8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF;
2N6796TX
元器件型号: 2N6796TX
生产厂家: RENESAS TECHNOLOGY CORP    RENESAS TECHNOLOGY CORP
描述和应用:

8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

开关 脉冲 晶体管
PDF文件: 总5页 (文件大小:142K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:2N6796TX参数
生命周期Transferred
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.06
其他特性RADIATION HARDENED
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)150 pF
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)32 A
认证状态Not Qualified
参考标准MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)85 ns
最大开启时间(吨)105 ns
Base Number Matches1