元器件型号: | 2SC1623-T1B-A |
生产厂家: | RENESAS TECHNOLOGY CORP |
描述和应用: | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
PDF文件: | 总7页 (文件大小:229K) |
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型号参数:2SC1623-T1B-A参数 | |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.59 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 90 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
VCEsat-Max | 0.3 V |
Base Number Matches | 1 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
NPN硅外延型晶体管MINI模具