2SC3355 [RENESAS]

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION; NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大
2SC3355
元器件型号: 2SC3355
生产厂家: RENESAS TECHNOLOGY CORP    RENESAS TECHNOLOGY CORP
描述和应用:

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大

晶体 晶体管
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型号参数:2SC3355参数
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.21.00.75
风险等级5.07
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e6
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN BISMUTH
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6500 MHz
Base Number Matches1