元器件型号: | 2SC3357 |
生产厂家: | RENESAS TECHNOLOGY CORP |
描述和应用: | NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD |
PDF文件: | 总10页 (文件大小:212K) |
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型号参数:2SC3357参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.66 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
基于收集器的最大容量 | 1 pF |
集电极-发射极最大电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 6500 MHz |
Base Number Matches | 1 |
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD