2SC3357 [RENESAS]

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD; NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD
2SC3357
元器件型号: 2SC3357
生产厂家: RENESAS TECHNOLOGY CORP    RENESAS TECHNOLOGY CORP
描述和应用:

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD

晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 放大器
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型号参数:2SC3357参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
包装说明POWER, MINIMOLD PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.66
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6500 MHz
Base Number Matches1