元器件型号: | 2SK1306 |
生产厂家: | RENESAS TECHNOLOGY CORP |
描述和应用: | Silicon N Channel MOS FET |
PDF文件: | 总7页 (文件大小:83K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:2SK1306参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | RENESAS ELECTRONICS CORP |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
风险等级 | 5.35 |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 15 A |
最大漏极电流 (ID) | 15 A |
最大漏源导通电阻 | 0.18 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e2 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 60 A |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN COPPER |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Silicon N Channel MOS FET
硅N沟道MOS FET