元器件型号: | 2SK2570 |
生产厂家: | RENESAS TECHNOLOGY CORP |
描述和应用: | Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching |
PDF文件: | 总7页 (文件大小:173K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:2SK2570参数 | |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | SOT-23 |
包装说明 | TO-236MOD, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.25 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.2 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.2 A |
最大漏源导通电阻 | 1.1 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching
硅N沟道MOS FET低频电源开关