HAT1026R [RENESAS]

Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching; 硅P沟道功率MOSFET高速电源开关
HAT1026R
元器件型号: HAT1026R
生产厂家: RENESAS TECHNOLOGY CORP    RENESAS TECHNOLOGY CORP
描述和应用:

Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching
硅P沟道功率MOSFET高速电源开关

晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 电源开关 光电二极管
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型号参数:HAT1026R参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码SOIC
包装说明FP-8DA, SOP-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.32
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7 A
最大漏极电流 (ID)7 A
最大漏源导通电阻0.065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)56 A
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1