元器件型号: | HAT1036R-EL-E |
生产厂家: | RENESAS TECHNOLOGY CORP |
描述和应用: | Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching |
PDF文件: | 总7页 (文件大小:88K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:HAT1036R-EL-E参数 | |
Brand Name | Renesas |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Not Recommended |
IHS 制造商 | RENESAS ELECTRONICS CORP |
零件包装代码 | SOP |
包装说明 | 3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8 |
针数 | 8 |
制造商包装代码 | PRSP0008DD-D8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.31 |
Is Samacsys | N |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
最大漏极电流 (ID) | 12 A |
最大漏源导通电阻 | 0.034 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 96 A |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
硅P沟道功率MOS FET电源开关