HAT1036R-EL-E [RENESAS]

Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching; 硅P沟道功率MOS FET电源开关
HAT1036R-EL-E
元器件型号: HAT1036R-EL-E
生产厂家: RENESAS TECHNOLOGY CORP    RENESAS TECHNOLOGY CORP
描述和应用:

Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
硅P沟道功率MOS FET电源开关

晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 电源开关 光电二极管
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型号参数:HAT1036R-EL-E参数
Brand NameRenesas
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Not Recommended
IHS 制造商RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码SOP
包装说明3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8
针数8
制造商包装代码PRSP0008DD-D8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.31
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.034 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)96 A
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1