HAT2016R [RENESAS]

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching; 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关
HAT2016R
元器件型号: HAT2016R
生产厂家: RENESAS TECHNOLOGY CORP    RENESAS TECHNOLOGY CORP
描述和应用:

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
硅N沟道功率MOS FET高速电源开关

晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 电源开关 光电二极管
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型号参数:HAT2016R参数
生命周期Not Recommended
IHS 制造商RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码SOIC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.32
Is SamacsysN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.5 A
最大漏极电流 (ID)6.5 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)52 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1