HZK4ATR-E
更新时间：2024-09-18 18:05:29
品牌：RENESAS
描述：0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
概述
规格参数
数据手册HZK4ATR-E 概述
0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE 齐纳二极管
HZK4ATR-E 规格参数
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 工作测试电流： | 5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
HZK4ATR-E 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| HZK4ATR-S-E | RENESAS | 暂无描述 | 获取价格 |
|
| HZK4B | RENESAS | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply | 获取价格 |
|
| HZK4B | SEMTECH | SILICON EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODES for Stabilized Power Supply | 获取价格 |
|
| HZK4B | HITACHI | Zener Diode, 3.9V V(Z), 5.13%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, LLD, 2 PIN | 获取价格 |
|
| HZK4B | SWST | 稳压二极管 | 获取价格 |
|
| HZK4B1 | EIC | Zener Diodes | 获取价格 |
|
| HZK4B2 | EIC | Zener Diodes | 获取价格 |
|
| HZK4B3 | EIC | Zener Diodes | 获取价格 |
|
| HZK4BLL | RENESAS | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Hard Knee Low Noise | 获取价格 |
|
| HZK4BLL | HITACHI | Zener Diode, 3.9V V(Z), 5.13%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, LLD, 2 PIN | 获取价格 |
|
HZK4ATR-E 相关文章
Bourns 密封通孔金属陶瓷微调电位计产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 6
Bourns 精密环境传感器产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 9
Bourns POWrTher 负温度系数(NTC)热敏电阻手册 (英文版)
- 2024-09-20
- 8
Bourns GMOV 混合过压保护组件产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 6
