R1LP0408CSP-7LI [RENESAS]

Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword × 8-bit); 宽温度范围版本4M SRAM ( 512千字× 8位)
R1LP0408CSP-7LI
元器件型号: R1LP0408CSP-7LI
生产厂家: RENESAS TECHNOLOGY CORP    RENESAS TECHNOLOGY CORP
描述和应用:

Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword × 8-bit)
宽温度范围版本4M SRAM ( 512千字× 8位)

存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
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型号参数:R1LP0408CSP-7LI参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码SOIC
包装说明0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.49
Is SamacsysN
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
长度20.75 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级2
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.05 mm
最大待机电流0.00001 A
最小待机电流2 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度11.4 mm
Base Number Matches1