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SP3232EHCT  SP3232EHCY  SP3232EHCA  SP3232EHCP  
2SB1691 PNP硅外延刨床低频功率放大器 (Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier)
.型号:   2SB1691
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描述: PNP硅外延刨床低频功率放大器
Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
文件大小 :   94 K    
页数 : 6 页
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品牌   RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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初步
数据表
2SB1691
PNP硅外延刨床
低频功率放大器
特点
R07DS0272EJ0300
(上一篇: REJ03G0482-0200 )
Rev.3.00
2011年3月28日
小尺寸封装: MPAK ( SC- 59A )
大最大电流:I
C
= –1 A
低集电极到发射极饱和电压: V
CE ( SAT )
= -0.3 V以下(在我
C
/I
B
= –0.5 A/–0.05 A)
高功率耗散:P
C
= 800兆瓦(采用氧化铝陶瓷板时( 25 ×60× 0.7mm)上)
互补配对2SD2655
概要
瑞萨封装代码: PLSP0003ZB -A
(包名称: MPAK )
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
注意:
标记为“ WL- ” 。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意:
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
集成电路(峰值)
P
C
Tj
TSTG
评级
60
50
–6
–1
–2
800*
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
mW
C
C
*当使用的氧化铝陶瓷板(25 ×60× 0.7mm)的
R07DS0272EJ0300 Rev.3.00
2011年3月28日
第1页4
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