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初步
数据表
2SB1691
PNP硅外延刨床
低频功率放大器
特点
R07DS0272EJ0300
(上一篇: REJ03G0482-0200 )
Rev.3.00
2011年3月28日
小尺寸封装: MPAK ( SC- 59A )
大最大电流:I
C
= –1 A
低集电极到发射极饱和电压: V
CE ( SAT )
= -0.3 V以下(在我
C
/I
B
= –0.5 A/–0.05 A)
高功率耗散:P
C
= 800兆瓦(采用氧化铝陶瓷板时( 25 ×60× 0.7mm)上)
互补配对2SD2655
概要
瑞萨封装代码: PLSP0003ZB -A
(包名称: MPAK )
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
注意:
标记为“ WL- ” 。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意:
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
集成电路(峰值)
P
C
Tj
TSTG
评级
60
50
–6
–1
–2
800*
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
mW
C
C
*当使用的氧化铝陶瓷板(25 ×60× 0.7mm)的
R07DS0272EJ0300 Rev.3.00
2011年3月28日
第1页4
2SB1691
初步
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
COB
–60
–50
–6
200
典型值
–0.2
–0.95
310
9.8
最大
–100
–100
500
–0.3
–1.2
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= –10
A,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
A,
I
C
= 0
V
CB
= -50 V,I
E
= 0
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
V
CE
= -2 V,I
C
= –0.1 A
I
C
= -0.5 A,I
B
= –0.05 A,
脉冲测试
I
C
= -0.5 A,I
B
= –0.05 A,
脉冲测试
V
CE
= -2 V,I
C
= –0.1 A
V
CB
= -10 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
主要特点
最大集电极耗散曲线
典型的输出特性( 1)
–200
脉冲
0
–35
µ
A
PC(毫瓦)
1200
1000
I
C
(MA )
当使用氧化铝陶瓷板
S = 25毫米×60毫米, t为0.7毫米
0
–30
µ
A
µ
A
集电极耗散功率
0
–25
集电极电流
800
0
µ
–20
A
–100
µ
A
–150
400
–100
µ
A
I
B
= –50
µA
200
0
50
100
150
T
a
(°C)
200
0
–2
–4
–6
–8
–10
环境温度
集电极到发射极电压
V
CE
(V)
典型的输出特性( 2)
–500
m
A
–7
–6
M A
5毫安
mA
mA
–4
–3
= 2毫安
典型的传输特性
–1000
V
CE
= –2 V
脉冲
–100
–400
mA
I
B
= –1
集电极电流
–200
–100
脉冲
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
集电极电流
–300
I
C
(MA )
I
C
(MA )
–10
–1
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
V
BE
(V)
–1.0
基地发射极电压
集电极到发射极电压
V
CE
(V)
R07DS0272EJ0300 Rev.3.00
2011年3月28日
第2页4
2SB1691
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
初步
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
1000
h
FE
饱和电压与
集电极电流
–2
–1
V
BE ( SAT )
直流电流传输比
100
–0.1
V
CE ( SAT )
–0.01
I
C
/I
B
= 10
脉冲
–10
集电极电流
–100
I
C
(MA )
–1000
10
V
CE
= –2 V
脉冲
1
–1
–10
–100
–1000
–0.002
–1
集电极电流I
C
(MA )
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
COB (PF )
增益带宽积主场迎战
集电极电流
500
f
T
(兆赫)
1000
F = 1MHz的
I
E
= 0
400
V
CE
= –2 V
脉冲
集电极输出电容
增益带宽积
100
300
200
10
100
0
–1
1
–0.1
–1
–10
–100
V
CB
(V)
–10
集电极电流
–100
I
C
(MA )
–1000
集电极 - 基极电压
R07DS0272EJ0300 Rev.3.00
2011年3月28日
第3页4
2SB1691
初步
包装尺寸
包名称
MPAK
JEITA封装代码
SC-59A
瑞萨代码
PLSP0003ZB-A
以前的代码
MPAK ( T) / MPAK (T )V
质量[典型值]
0.011g
D
e
A
Q
c
E
H
E
L
A
A
X M传
A
b
L
1
A
3
e
L
P
参考
尺寸以毫米为单位
符号
最小值标称值最大值
A
2
A
A
1
S
b
I
1
c
b
2
A-A部分
e
1
终端位置的区域格局
A
A
1
A
2
A
3
b
c
D
E
e
H
E
L
L
1
L
P
x
b
2
e
1
I
1
Q
1.0
0
1.0
0.35
0.1
2.7
1.35
2.2
0.35
0.15
0.25
1.1
0.25
0.4
0.16
1.5
0.95
2.8
1.3
0.1
1.2
0.5
0.26
3.1
1.65
3.0
0.75
0.55
0.65
0.05
0.55
1.05
1.95
0.3
订购信息
订购型号
2SB1691WL-TL-E
2SB1691WL-TL-H
注意:
3000件
QUANTITY
中海集装箱
178
毫米编带卷
对于某些等级,生产可能会被终止。请联系瑞萨销售办事处,检查状态
订购产品之前生产。
R07DS0272EJ0300 Rev.3.00
2011年3月28日
第4页4
通告
1.
本文档中包含的所有信息为发出该文件的日期。这样的信息,但是,如有更改,恕不另行通知。购买或使用任何瑞萨前
本文列出的电子产品时,请确认与瑞萨电子营业部最新的产品信息。另外,请大家定期和仔细的额外的和不同的信息
瑞萨电子披露,例如,通过我们的网站上披露。
2.
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其他人。
3.
4.
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5.
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的规定。不应该使用瑞萨电子制品或本文档中对由军事与军事应用或使用任何目的所描述的技术,包括但不限于
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禁止在任何可适用的国内或外国的法律或法规。
6.
瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息,使用合理的照顾,但瑞萨电子不保证该信息没有错误。瑞萨电子
承担因此发生的,你从本文中包含的信息错误或遗漏导致的任何损失承担任何责任。
7.
"Standard" , "High Quality"和"Specific" :瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分类。每个瑞萨电子产品的推荐应用
取决于产品的质量等级,如以下所示。在一个特定的应用程序中使用它之前,你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级。您不得使用任何瑞萨
电子产品归类为"Specific"不瑞萨电子的事先书面同意,任何应用程序。此外,您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序
它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子将不会有从产生招致你的任何损害或损失,或第三方负责任何方式
使用任何瑞萨电子的产品归类为"Specific"或该产品并没有打算在这里你未能获得瑞萨电子的事先书面同意申请。
每个瑞萨电子产品的质量等级是"Standard"除非另有在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
"Standard" :
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;视听设备;家用电子电器;机床;
个人电子设备;与工业机器人。
"High Quality" :运输设备(汽车,火车,船舶等) ;交通控制系统;防灾系统;打黑除恶系统;安全设备;和医疗设备没有特别的
设计用于生命支持。
"Specific" :
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗设备或用于生命支持系统(如人工生命支持设备或系统) ,外科手术
植入或医疗干预(如切除等) ,并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
8.
您应该使用瑞萨电子指定的范围内本文档中描述的瑞萨电子产品,特别是对于最大额定值,工作电源电压
范围内,移动电源电压范围宽,热辐射等特性,安装等产品特性。瑞萨电子对于因出了故障或损害承担任何责任
使用这种超越规定范围瑞萨电子的产品。
9.
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性,半导体产品具有特定的特征,如衰竭的发生在一定的速度,
某些使用条件下发生故障。此外,瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施,以保护他们反对
物理损伤,伤害或损害的瑞萨电子产品的故障的情况下引起的火灾,如安全设计的硬件和软件,包括但不限于的可能性
冗余度,防火和防故障,老化退化或任何其他适当的措施,适当的治疗。因为单独微机软件的评价是非常困难的,
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后记1.1
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