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RF3376Gen-
ERAL用途
扩音器
RF3376
通用扩增fi er
符合RoHS &无铅产品
封装形式: SOT89
特点
直流>6000MHz操作
内部匹配输入和
产量
22分贝小信号增益
+ 2.0分贝噪声系数
+ 11dBm的P1dB输出
1
在RF
GND
4
2
GND
3
RF OUT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
应用
基站应用
宽带,低噪声增益
IF或RF缓冲放大器
功率放大器驱动级
末级功率放大器的低功耗应用
系统蒸发散
高可靠性的应用
功能框图
产品说明
该RF3376是一种通用的,低成本的RF放大器IC 。该装置是制造
捕获的原始图像采用先进的砷化镓异质结双极晶体管( HBT )亲
塞斯,并已设计作为一个易于级联50Ω增益模块。
应用包括IF和RF放大的无线语音和数据通信
化产品中的频带高达6000MHz运行。该设备是自CON-
tained与50Ω的输入阻抗和输出阻抗,并且只需要两个外部直流
偏置元件操作为指定。
订购信息
RF3376
RF3376PCBA-410
通用扩增fi er
完全组装的评估板
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
转A6 DS050524
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1第8
RF3376
绝对最大额定值
参数
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
I
CC
等级
+3
-40至+85
-60到+150
40
单位
DBM
°C
°C
mA
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
频带
3dB带宽
收益
分钟。
规范
典型值。
DC到>6000
2
马克斯。
单位
兆赫
GHz的
dB
dB
dB
dB
Freq=500MHz
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=3000MHz
Freq=4000MHz
Freq=6000MHz
dB
Freq=2000MHz
条件
中T = 25℃ ,我
CC
= 35毫安(见注1 )
22.0
21.0
18.0
23.5
22.5
19.8
18.0
16.0
12.8
噪声系数
输入VSWR
输出VSWR
输出IP
3
输出P
1dB
反向隔离
+22.0
+21.5
+9.5
+9.5
2.0
<2 : 1
<2 : 1
+24.4
+23.4
+11.5
+11.5
22.5
216
109
在50Ω系统中, DC到4500MHz
在50Ω系统中, DC到6000MHz
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
° C / W
°C
T
=+85°C
T
=+85°C
与22Ω偏置电阻
在8引脚与I
CC
=35mA
在评估电路板连接器,我
CC
=35mA
见注释2 。
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=2000MHz
I
CC
= 35毫安,P
DISS
= 110mW的。 (见注3 )
THETA
JC
最大测量结
温度直流偏置
条件
平均时间故障
35000
3.4
4.2
35
3.5
4.5
40
岁月
V
v
mA
电源
器件工作电压
工作电流
注1:所有规格和特征数据已经收集到的有关标准的FR - 4评估板。这些评估板不
频率高于2.5GHz的优化。以上2.5GHz的性能可以改善,如果一个高性能的PCB被使用。
注2: RF3376 ,必须在等于或低于40毫安为了实现上面列出的散热性能进行操作。而RF3376可
在较高的偏置电流工作时, 35毫安是推荐的偏压,以确保尽可能高的可靠性和电性能。
注3 :由于工艺变化的各部分之间,电流产生从固定的偏置电压将发生变化。因此,应谨慎
在设计固定电压偏置电路用于保证最坏情况下的偏置电流不超过40毫安超过所有预期运行条件
系统蒸发散。
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RF3376
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直电容,
适于操作的频率,应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。不允许输入的直流耦合,因为这将覆盖
内部反馈环路,并导致温度不稳定。
接地连接。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感,以V
CC
。电阻器被选择来设置直流
电流流入该引脚到所需的水平。电阻值由下式确定
下面的等式:
接口示意图
2
3
GND
RF OUT
(
V
供应
V
设备
)
R
=
------------------------------------------------------
-
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择,保证了电流
租入部分决不会超过40毫安在计划操作temper-
ATURE 。这意味着供给,该管脚之间的电阻是始终
需要,即使近3.4V的电源可用,提供直流反馈
防止热失控。因为DC是目前该引脚上,一个隔直流
电容器,适合于工作频率,应当在最常用
应用程序。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
接地连接。
RF OUT
在RF
4
GND
封装图
1.04
0.80
0.50
0.30
1.60
1.40
3.10
2.90
0.48
0.36
2 PL
4.60
4.40
2.60
2.40
1.80
1.45
1.75
1.40
尺寸(mm) 。
阴影铅引脚1 。
0.43
0.38
0.53
0.41
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RF3376
应用原理
V
CC
4
22
Ω
100 pF的
+
1
μF
100 pF的
在RF
1
2
3
100 nH的
RF OUT
100 pF的
评估板电路图
(从www.rfmd.com下载材料清单)。
P1
P1-1
1
2
3
CON3
VCC1
GND
4
R1
22
Ω
C1
100 pF的
L1
100 nH的
C2
100 pF的
C3
100 pF的
+ C4
1
μF
VCC
J1
在RF
50
Ω μstrip
1
2
3
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
337x410 , R.1
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RF3376
评估板布局
主板尺寸1.195" X 1.000"
板厚度0.033 “ ,板材料FR- 4
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