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低电压检测器具有内置的
延迟电路
R3130N ××× A / C， R3131N ×××的A / C
应用手册
NO 。 EA- 073-0012
低电压检测器具有内置的
延迟电路
R3130N ××× A / C， R3131N ×××的A / C
概要
R3130N / R3131N系列是具有内置延迟电路，高检测电压精度低电压检测器IC
和超低电源电流通过CMOS工艺制造，它可以在低电压下工作。
这些IC可以用作系统复位发生器，并且每个这些IC包括一个参考电压源，一个COM
parator ，电阻器可用于设置电压检测器的阈值，一个输出驱动器晶体管，和一个输出端的延迟发生器。
检测电压在内部被固定，精度高，无需调整。当电源电压穿越
从高值到一个较低的值的设定检测器的阈值电压时，该集成电路产生复位信号。
R3130N系列输出“L” ，在检测模式下，而R3131N系列的输出为“H” 。
此外，每个R3130N / R3131N系列嵌入的输出延迟发生器，当电源电压穿越的设置
从低值到高值，在一个设定的延迟时间，其固定在所述集成电路检测器的阈值电压，这
IC保持在复位状态。
输出延迟时间可以选择。 （典型值240毫秒为标准。 ）
.
两种输出类型， N沟道开漏型和CMOS型可供选择。
由于包这些IC的SOT23-3封装（微型模具）封装， IC的高密度安装在船上的
可能。
特点
•
引脚对引脚兼容MAX八百一分之八百零九（ R3130N ×××× ： MAX 809 ， R3131N ×××× ： MAX 810 ）
•
超低电源电流............................................. ...........典型值1.25μA （ R313 × N27 ××： V
DD
=3.0V)
.
•
工作电压范围............................................... ......... 1.0V至6.0V （ TOPT = 25 ° C）
•
检测阈值................................................ ..................用0.1V在1.6V至4.8V的范围内设置的步骤
是可能的。
•
上电复位延时电路嵌入式电源....................延迟时间可指定。
请参考选型指南。
•
高精度检测电压......................................... ± 1.5 ％
•
高精度输出的延迟时间......................................... ± 10.0 ％
•
检测电压低温度漂移系数... TYP ± 100ppm的/°C的
.
•
两种输出类型............................................... ..................... N沟道开漏和CMOS
•
小包装................................................ ........................... SOT- 23-3
1
R3130N ××× A / C， R3131N ×××的A / C
应用
•
CPU &逻辑电路的复位
•
电池检查
•
窗口比较器
•
波形整形电路
•
电池备份电路
•
电源故障检测
方框图
•
R3130N×××
×××A
×××
N沟道开漏输出
V
DD
V
DD
•
R3130N×××
×××C
×××
CMOS输出
-
+
VREF
GND
延迟
电路
-
OUT
+
VREF
GND
延迟
电路
OUT
•
R3131N×××
×××A
×××
N沟道开漏输出
V
DD
•
R3131N×××
×××C
×××
CMOS输出
V
DD
-
+
VREF
GND
延迟
电路
-
OUT
+
VREF
GND
延迟
电路
OUT
2
R3130N ××× A / C， R3131N ×××的A / C
时序图
供应
电压
(V
DD
)
探测器
门槛
V
DET
最小工作
电压
V
SS
供应
电压
(V
DD
)
探测器
门槛
V
DET
最小工作
电压
V
SS
输出电压
V
SS
tDELAY时间
输出电压
V
SS
tDELAY时间
R3130N运行图
•
输出延迟操作
输出延迟时间，或者TDELAY规定如下：
1.在N沟道开漏输出的情况下：
R3131N运行图
从V上升沿的时间间隔
DD
脉冲（ 1.0V → （V
DET
）+ 0.1V ）的时间，这时，输出达到
的情况下为2.5V ，输出引脚（OUT）被上拉至5V通过一个470KΩ电阻。
2.在CMOS输出的情况下
从V上升沿的时间间隔
DD
脉冲（ 1.0V → （V
DET
）+ 0.1V ）的时间，这时，输出达到
V
DD
/2.
V
DET
+1.0V
输入电压
(V
DD
)
V
DET
+1.0V
输入电压
(V
DD
)
1.0V
GND
1.0V
GND
5.0V
V
DET
+0.1V
输出电压
输出电压
2.5V
(V
DET
+0.1V)/2
GND
TRST
tDELAY时间
GND
TRST
tDELAY时间
N沟道开漏输出
CMOS输出
3
R3130N ××× A / C， R3131N ×××的A / C
选购指南
检测器阈R3130N系列，输出类型，并且输出延迟时间可指定在用户的
要求通过指定的零件编号如下：
R3130N×××××-TR
R3131N×××××-TR
↑ ↑↑↑ ↑
一个BCD ê
CODE
设定检测电压（V
DET
)
a
以0.1V的1.6V至4.8V的范围内的步骤逐步设置是可能的。
以下6种电压也是标准。
2.63V 2.93V 3.08V 4.00V 4.40V 4.65V
,
,
,
,
,
选择输出延迟时间
b
E： 240毫秒（标准）A： 50ms的B： 100毫秒D： 200毫秒H： 400毫秒
* A，B， D，H版本只能6种标准电压的物品来制造。
指定输出类型
c
d
e
答： N沟道开漏
C： CMOS
6种标准电压项目最后一位数字的说明。
大坪方向的指定
（参考大坪规范）
目录
←部分
数
←部分
数
引脚配置
SOT-23-3
3
马克边
1
2
4
相关元器件产品Datasheet PDF文档
