TM4256GV9-20L [ROCHESTER]

DRAM Module, 256KX9, 200ns, NMOS, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30;
TM4256GV9-20L
型号: TM4256GV9-20L
厂家: Rochester Electronics    Rochester Electronics
描述:

DRAM Module, 256KX9, 200ns, NMOS, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30

动态存储器
文件: 总5页 (文件大小:304K)
中文:  中文翻译
下载:  下载PDF数据表文档文件

相关型号:

TM4256HE4-10L

DRAM Module
ROCHESTER

TM4256HE4-12L

512KX4 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, 2.400 X 0.450 INCH, SIMM-22
TI

TM4256HE4-12L

DRAM Module, 512KX4, 120ns, NMOS, 2.400 X 0.450 INCH, SIMM-22
ROCHESTER

TM4256HE4-20

TM4256HE4-20
TI

TM4257EC4-15

TM4257EC4-15
TI

TM4257EC4-20

TM4257EC4-20
TI

TM4257EQ5-12

TM4257EQ5-12
TI

TM4257EQ5-15

TM4257EQ5-15
TI

TM4257EQ5-20

TM4257EQ5-20
TI

TM4257FC1-15

TM4257FC1-15
TI

TM4257FL8-15

TM4257FL8-15
TI

TM4257FL8-20

TM4257FL8-20
TI