| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92LS | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 2SA1884/N | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92LS, 3 PIN | 获取价格 |
|
| 2SA1884/NP | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92LS, 3 PIN | 获取价格 |
|
| 2SA1884/NQ | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92LS, 3 PIN | 获取价格 |
|
| 2SA1884/PQ | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92LS, 3 PIN | 获取价格 |
|
| 2SA1884/Q | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92LS, 3 PIN | 获取价格 |
|
| 2SA1884N | ROHM | TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 | 获取价格 |
|
| 2SA1884P | ROHM | TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 | 获取价格 |
|
| 2SA1884Q | ROHM | TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 | 获取价格 |
|
| 2SA1884TE4 | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92LS, 3 PIN | 获取价格 |
|
| 2SA1884TE4/N | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92LS, 3 PIN | 获取价格 |
|
2025 年内存行业：关键战役打响，谁能脱颖而出
突破光刻限制：更大光罩引领半导体制造新变革
台积电、三星逐鹿 1nm 工艺，半导体产业风云变幻
防反接、防倒灌与过流保护电路：设计方法大揭秘
概述
规格参数
数据手册
