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2SA2049T100Q

更新时间：2024-09-18 17:59:23
品牌：ROHM
描述：Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPT3, 3 PIN

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PCB计价

2SA2049T100Q 概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPT3, 3 PIN 小信号双极晶体管

2SA2049T100Q 规格参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：MPT3, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.78外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：350 MHz
Base Number Matches：1

2SA2049T100Q 数据手册

通过下载2SA2049T100Q数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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2SA2049  
Transistor  
Medium power transistor (−30V, −2.0A)  
2SA2049  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
−
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 20ns at IC = 2.0A)  
2) Low saturation voltage, typically  
4.0  
2.5  
MPT3  
1.0  
0.5  
(1)  
(2)  
(3)  
−
−
(Typ. : −250mV at IC = 1.0A, IB = 100mA)  
3) Strong discharge power for inductive load and  
capacitance load.  
4) Complements the 2SC5731  
(1)Base  
Each lead has same dimensions  
(2)Collector  
(3)Emitter  
Abbreviated symbol : UX  
!Applications  
Small signal low frequency amplifier  
High speed switching  
!Structure  
PNP Silicon epitaxial planar transistor  
!Packaging specifications  
Package  
Taping  
T100  
Code  
Type  
Basic ordering unit (pieces)  
1000  
2SA2049  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−30  
−30  
Unit  
V
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−6  
V
I
C
−2.0  
−4.0  
500  
2.0  
150  
A
A
mW  
W
°C  
°C  
Collector current  
1
2
I
CP  
P
C
Power dissipation  
Junction temperature  
Tj  
Range of storage temperature Tstg  
−55~+150  
1 Pw=100ms  
*2 Mounted on a 40×40×0.7 (mm) ceramic substrate  
1/3  
2SA2049  
Transistor  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
BVCBO −30  
BVCEO −30  
−
−
−
−
−
−
−
−
V
V
V
I
I
I
C
= −100µA  
= −1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
BVEBO  
−6  
−
E
= −100µA  
CB= −20V  
EB= −4V  
I
CBO  
EBO  
CE (sat)  
FE  
−1.0 µA  
−1.0 µA  
V
V
I
−
V
−
−250 −500 mV  
I
C= −1.0A, I  
B
= −100mA  
h
120  
−
−
390  
−
−
MHz  
pF  
V
V
V
I
I
I
CE= −2V, I = −100mA  
C
f
T
350  
25  
CE= −10V, I  
CB= −10V, I  
E
E
=100mA, f=10MHz  
=0A, f=1MHz  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
Cob  
Ton  
Tstg  
Tf  
−
−
C= −2.0A  
−
25  
−
ns  
B1= −200mA  
B2=200mA  
CC −25V  
Storage time  
−
100  
20  
−
ns  
Fall time  
−
−
ns  
V
!hFE RANK  
Q
R
120−270  
180−390  
!Electrical characteristic curves  
1000  
1000  
−10  
Ta=25°C  
CC= −25V  
/I =10/1  
V
CE= −2V  
1ms  
10ms  
V
I
C B  
−1  
Ta=125°C  
100  
100ms  
DC  
Tstg  
Ta=25°C  
Ta= −40°C  
−0.1  
−0.01  
100  
Tf  
10  
Ton  
Single  
non repetitive  
Pulse  
−0.001  
10  
−0.01  
1
−0.01  
−0.1  
−1  
−10  
−100  
−0.1  
−1  
−10  
−0.001  
−0.01  
−0.1  
−1  
−10  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
COLLECTOR CURRENT : IC (A)  
Fig.1 Safe Operating Area  
Fig.2 Switching Time  
Fig.3 DC Current Gain vs.  
Collector Current (Ι)  
1000  
100  
10  
−10  
−1  
−10  
−1  
Ta=25°C  
I
C/I  
B=10/1  
Ta=25°C  
V
V
V
CE= −5V  
CE= −3V  
CE= −2V  
Ta=125°C  
Ta=25°C  
Ta= −40°C  
−0.1  
−0.1  
I
C
/I  
/I  
B
=20/1  
=10/1  
I
C
B
1
−0.01  
−0.01  
−0.001  
−0.001  
−0.01  
−0.1  
−1  
−10  
−0.001  
−0.01  
−0.1  
−1  
−10  
−0.01  
−0.1  
−1  
−10  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
COLLECTOR CURRENT : IC (A)  
Fig.4 DC Current Gain vs.  
Fig.5 Collector-Emitter Saturation  
Voltage vs.  
Fig.6 Collector-Emitter Saturation  
Voltage vs.  
Collector Current (ΙΙ)  
Collector Current (Ι)  
Collector Current (ΙΙ)  
2/3  
2SA2049  
Transistor  
1000  
100  
10  
−10  
−1  
−10  
Ta=25°C  
V
CE= −2V  
IC/IB=10/1  
V
CE= −10V  
Ta=125°C  
Ta=25°C  
Ta= −40°C  
−1  
Ta= −40°C  
Ta=25°C  
Ta=125°C  
−0.1  
−0.01  
−0.1  
1
−0.01  
0
−0.5  
−1  
−1.5  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
−0.001  
−0.01  
−0.1  
−1  
−10  
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)  
EMITTER CURRENT : IE (A)  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
Fig.8 Grounded Emitter  
Fig.7 Base-Emitter Saturation  
Voltage vs.Collecter Current  
Fig.9 Transition Frequency  
Propagation Characteristics  
100  
Ta=25°C  
f=1MHz  
10  
1
−0.1  
−1  
−10  
−100  
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)  
Fig.10 Collector Output Capacitance  
!Switching characteristics measurement circuits  
RL=12.5Ω  
VIN  
IC  
IB1  
IB2  
PW  
VCC −25V  
PW 50µs  
DUTY CYCLE 1%  
IB2  
IB1  
BASE CURRENT  
WAVEFORM  
Ton  
Tstg  
10%  
Tf  
IC  
90%  
COLLECTOR CURRENT  
WAVEFORM  
3/3  

2SA2049T100Q 相关器件

型号 制造商 描述 价格 文档
2SA2049T100R ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPT3, 3 PIN 获取价格
2SA205 ETC General Purpose Amplifier 获取价格
2SA2050 FOSHAN TO-220F 获取价格
2SA2056 TOSHIBA TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 获取价格
2SA2056(TE85L,F) TOSHIBA TRANSISTOR PNP 50V 2A TSM 获取价格
2SA2056_06 TOSHIBA High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications 获取价格
2SA2057 PANASONIC Silicon PNP epitaxial planar type 获取价格
2SA2057P PANASONIC Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220D-A1, 3 PIN 获取价格
2SA2057Q PANASONIC Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220D-A1, 3 PIN 获取价格
2SA2058 TOSHIBA TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 获取价格

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