2SD1469C1/R

更新时间:2024-09-18 18:05:14
品牌:ROHM
描述:Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

2SD1469C1/R 概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon 小信号双极晶体管

2SD1469C1/R 规格参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.79
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:30 pF
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):180JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

2SD1469C1/R 数据手册

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