2SD2169TL2/Q

更新时间:2024-09-18 18:05:14
品牌:ROHM
描述:Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

2SD2169TL2/Q 概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon 小信号双极晶体管

2SD2169TL2/Q 规格参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.8
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:35 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SD2169TL2/Q 数据手册

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