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RBQ10B45A [ROHM]

Schottky Barrier Diode; 肖特基二极管
RBQ10B45A
型号： RBQ10B45A
厂家： ROHM    ROHM
描述：

Schottky Barrier Diode
肖特基二极管

肖特基二极管
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Data Sheet  
Schottky Barrier Diode  
RBQ10B45A  
lApplications  
lDimensions (Unit : mm)  
lLand size figure (Unit : mm)  
General rectification  
6.0  
2.3±0.2  
6.5±0.2  
0.1  
0.5±0.1  
C0.5  
5.1±0.2  
0.1  
lFeatures  
1)Power mold type.(CPD)  
2)Low IR  
1.6  
1.6  
3)High reliability  
①
0.75  
0.65±0.1  
0.9  
CPD  
lStructure  
2.3 2.3  
（1） （2） （3）  
0.5±0.1  
1.0±0.2  
lConstruction  
2.3±0.2 2.3±0.2  
Silicon epitaxial planer  
ROHM : CPD  
JEITA : SC-63  
①
Manufacture Date  
lTaping specifications (Unit : mm)  
lAbsolute maximum ratings(Tc=25°C)  
Parameter  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
45  
45  
10  
V
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz・1cyc)(*2)  
Junction temperature  
Io  
IFSM  
Tj  
A
50  
A
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
-40 to +150  
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode.  
(*2)Per diode.  
lElectrical characteristics(Tj=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ. Max.  
Unit  
V
Conditions  
VF  
IR  
IF=5A  
VR=45V  
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
-
0.65  
0.15  
mA  
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2011.11 - Rev.A  
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Data Sheet  
RBQ10B45A  
ꢀ
100000  
10000  
1000  
100  
10  
Ta=150°C  
Ta=125°C  
1
Ta=125°C  
Ta=75°C  
Ta=150°C  
10  
Ta=75°C  
Ta=25°C  
0.1  
1
Ta=25°C  
0.1  
Ta=-25°C  
Ta=-25°C  
30  
0.01  
0.01  
0
10  
20  
40  
50  
0
100 200 300 400 500 600 700 800  
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)  
REVERSE VOLTAGE：VF(V)  
VF-IF CHARACTERISTICS  
VR-IR CHARACTERISTICS  
1000  
100  
10  
600  
590  
580  
570  
560  
550  
540  
530  
520  
510  
500  
f=1MHz  
Ta=25°C  
IF=5A  
n=30pcs  
AVE:551.3mV  
1
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
VF DISPERSION MAP  
REVERSE VOLTAGE:VR(V)  
VR-Ct CHARACTERISTICS  
30  
25  
20  
15  
10  
5
550  
540  
530  
520  
510  
500  
490  
480  
470  
460  
450  
Ta=25°C  
f=1MHz  
VR=0V  
Ta=25°C  
VR=45V  
n=30pcs  
n=10pcs  
AVE:489.8pF  
AVE:12.2mA  
0
IR DISPERSION MAP  
Ct DISPERSION MAP  
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Data Sheet  
RBQ10B45A  
ꢀ
30  
25  
20  
15  
10  
5
300  
250  
200  
150  
100  
50  
Ta=25°C  
IF=0.5A  
IR=1A  
Irr=0.25*IR  
n=10pcs  
1cyc  
8.3ms  
IFSM  
AVE:10.8ns  
AVE121A  
0
0
Ifsm DISPERSION MAP  
trr DISPERSION MAP  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
IFSM  
IFSM  
8.3ms 8.3ms  
1cyc  
t
0
1
0
10  
100  
1
10  
100  
TIME:t(ms)  
Ifsm-t CHARACTERISTICS  
NUMBER OF CYCLES  
Ifsm-CYCLE CHARACTERISTICS  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
100  
10  
1
Rth(j-a)  
D=1/2  
Rth(j-c)  
Sin(q＝180)  
DC  
0.1  
0
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
AVERAGE RECTIFIED  
FORWARD CURRENT：Io(A)  
Io-Pf CHARACTERISTICS  
TIME:t(s)  
Rth-t CHARACTERISTICS  
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Data Sheet  
RBQ10B45A  
ꢀ
30  
25  
20  
15  
10  
5
2
1.5  
1
0A  
0V  
Io  
VR  
t
D=t/T  
VR=20V  
T
Tj=150°C  
DC  
D=1/2  
DC  
D=1/2  
0.5  
0
Sin(q＝180)  
Sin(q＝180)  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
10  
20  
30  
40  
50  
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(°C)  
DERATING CURVE(Io-Ta)  
REVERSE VOLTAGE:VR(V)  
VR-PR CHARACTERISTICS  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
Io  
0A  
0V  
AVE:23.3kV  
25  
20  
15  
10  
5
VR  
t
D=t/T  
VR=20V  
Tj=150°C  
T
DC  
D=1/2  
AVE:4.9kV  
Sin(q＝180)  
0
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
C=200pF  
R=0W  
C=100pF  
R=1.5kW  
CASE TEMPERATURE:Tc(°C)  
DERATING CURVE(Io-Tc)  
ESD DISPERSION MAP  
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Notice  
N o t e s  
Thank you for your accessing to ROHM product informations.  
More detail product informations and catalogs are available, please contact us.  
ROHM Customer Support System  
http://www.rohm.com/contact/  
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R1120A  

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