RSR015P03 [ROHM]
4V Drive Pch MOS FET; 4V驱动P沟道MOS FET型号: | RSR015P03 |
厂家: | ROHM |
描述: | 4V Drive Pch MOS FET |
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RSR015P03
Transistors
4V Drive Pch MOS FET
RSR015P03
Structure
External dimensions (Unit : mm)
Silicon P-channel MOS FET
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Features
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1) LowOn-resistance
2) Space saving small surface mount package (TSMT3)
3) 4V drive
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Applications
Switching
Packaging specifications
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Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
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RSR015P03
Transistors
Electrical characteristics (Ta=25 C)
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Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 C)
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Appendix
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Appendix1-Rev1.1
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RSR015P06HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT3, 3 PIN
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 45V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TSMT3, 3 PIN
ROHM
RSR025N03FRATL
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT3, 3 PIN
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