RSS085N05TB [ROHM]
暂无描述;
ROHM 
RSS085N05
Transistor
4V Drive Nch MOS FET
RSS085N05
Structure
External dimensions (Unit : mm)
Silicon N-channel
MOS FET
ÍÑÐè
ëòð
ïòéë
ðòì
÷
ø
÷
ë
ø
è
Features
1) Built-in G-S Protection Diode.
2) Small and Surface Mount Package (SOP8).
ø
÷
ï
ø ÷
ì
ðòî
ïòîé
ï°·² ³¿®µ
Applications
Û¿½¸ ´»¿¼ ¸¿• •¿³» ¼·³»²•·±²•
Power switching , DC / DC converter, Inverter
Packaging dimensions
п½µ¿¹»
Ì¿°·²¹
ÌÞ
̧°»
ݱ¼»
Þ¿•·½ ±®¼»®·²¹ «²·¬ ø°·»½»•÷
îëðð
ÎÍÍðèëÒðë
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Equivalent circuit
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
øè÷ øé÷ øê÷ øë÷
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Limits
Unit
V
øè÷
øé÷
øê÷
øë÷
45
20
±8.5
±34
V
Continuous
Pulsed
A
î
Drain current
øï÷ øî÷ øí÷ øì÷
IDP
A
ï
*1
øï÷ ͱ«®½»
øî÷ ͱ«®½»
øí÷ ͱ«®½»
øì÷ Ù¿¬»
øë÷ Ü®¿·²
øê÷ Ü®¿·²
øé÷ Ü®¿·²
øè÷ Ü®¿·²
IS
Continuous
Pulsed
1.6
A
Source current
(Body diode)
ISP
34
A
*1
*2
øï÷
øî÷
øí÷
øì÷
Total power dissipation
Chanel temperature
PD
2
W
oC
oC
ï ÛÍÜ Ð®±¬»½¬·±² Ü·±¼»ò
î Þ±¼§ Ü·±¼»ò
Tch
150
Range of Storage temperature
*1 PW 10 Duty cycle 1
Tstg
-55 to +150
ß °®±¬»½¬·±² ¼·±¼» ·• ·²½´«¼»¼ ¾»¬©»»² ¬¸» ¹¿¬»
¿²¼ ¬¸» •±«®½» ¬»®³·²¿´• ¬± °®±¬»½¬ ¬¸» ¼·±¼»
¿¹¿·²•¬ •¬¿¬·½ »´»½¬®·½·¬§ ©¸»² ¬¸» °®±¼«½¬ ·• ·²
«•»òË•» ¿ °®±¬»½¬·±² ½·®½«·¬ ©¸»² ¬¸» º·¨»¼
ª±´¬¿¹» ¿®» »¨½»»¼»¼ò
*2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Rth(ch-a) *
Limits
62.5
Unit
oC/W
Chanel to ambient
* Mounted on a ceramic board
1/4
RSS085N05
Transistor
Electrical characteristics (Ta=25 C)
п®¿³»¬»®
ͧ³¾±´
Ó·²ò ̧°ò Ó¿¨ò ˲·¬
ݱ²¼·¬·±²•
ÊÙÍãîðÊô ÊÜÍãðÊ
Ù¿¬»ó•±«®½» ´»¿µ¿¹»
×
–
–
–
ïð
–
kß
Ê
ÙÍÍ
Ü®¿·²ó•±«®½» ¾®»¿µ¼±©² ª±´¬¿¹» ÊøÞÎ÷ ÜÍÍ ìë
×Üã ï³ßô ÊÙÍãðÊ
ÊÜÍã ìëÊô ÊÙÍãðÊ
ÊÜÍã ïðÊô ×Üã ï³ß
×Üã èòëßô ÊÙÍã ïðÊ
×Üã èòëßô ÊÙÍã ìòëÊ
×Üã èòëßô ÊÙÍã ìÊ
ÊÜÍã ïðÊô ×Üã èòëß
ÊÜÍã ïðÊ
Æ»®± ¹¿¬» ª±´¬¿¹» ¼®¿·² ½«®®»²¬
Ù¿¬» ¬¸®»•¸±´¼ ª±´¬¿¹»
×
–
ïòð
–
–
ï
kß
Ê
ÜÍÍ
ÊÙÍ ø¬¸÷
–
îòë
ïè
îí
îë
–
ïí
ïê
ïè
–
³
ͬ¿¬·½ ¼®¿·²ó•±«®½» ±²ó•¬¿¬»
®»•·•¬¿²½»
ÎÜÍ ø±²÷
–
³
–
³
Ú±®©¿®¼ ¬®¿²•º»® ¿¼³·¬¬¿²½»
ײ°«¬ ½¿°¿½·¬¿²½»
Ñ«¬°«¬ ½¿°¿½·¬¿²½»
못®•» ¬®¿²•º»® ½¿°¿½·¬¿²½»
Ì«®²ó±² ¼»´¿§ ¬·³»
η•» ¬·³»
Ǻ•
Ý·••
ݱ••
Ý®••
éòð
–
Í
ïëðð
íëð
ïéð
ïç
îë
éï
îì
–
°Ú
°Ú
°Ú
²•
²•
²•
²•
²Ý
–
–
ÊÙÍãðÊ
–
–
ºãïÓئ
¬
–
–
ÊÜÜ îëÊ
×Üã ìòðß
ÊÙÍã ïðÊ
ÎÔãêòí
¼ ø±²÷
¨
–
–
Ì«®²ó±ºº ¼»´¿§ ¬·³»
Ú¿´´ ¬·³»
¬
–
–
¼ ø±ºº÷
¬
–
–
ÎÙãïð
º
̱¬¿´ ¹¿¬» ½¸¿®¹»
Ù¿¬»ó•±«®½» ½¸¿®¹»
Ï
Ï
–
ïëòí îïòì
¹
ÊÙÍã ëÊ
ÎÙãïð
ÊÜÜ îëÊ
–
ìòì
êòð
–
–
²Ý ×Üã èòëß
ÎÔãîòç
²Ý
¹•
¹¼
Ù¿¬»ó¼®¿·² ½¸¿®¹»
Ы´•»¼
Ï
–
Body diode characteristics(Source-Drain) (Ta=25 C)
п®¿³»¬»®
Ú±®©¿®¼ ª±´¬¿¹»
ͧ³¾±´
Ó·²ò ̧°ò Ó¿¨ò ˲·¬
ïòî
ݱ²¼·¬·±²•
ÊÍÜ
–
–
Ê
×Íã èòëßô ÊÙÍãðÊ
Ы´•»¼
2/4
RSS085N05
Transistor
Electrical characteristic curves
1000
100
10
1000
100
10
10
VGS=4.5V
pulsed
VGS=10V
pulsed
VDS=10V
pulsed
Ta=125oC
75oC
Ta=125oC
75oC
Ta=125oC
75oC
25oC
-25oC
25oC
25oC
1
0.1
-25oC
-25oC
1
1
0.01
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Drain Current : ID [A]
Drain Current : ID [A]
Gate-Source Voltage : VGS [V]
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (1)
Resistance vs. Drain Current (2)
1000
200
150
100
50
10
1
Ta=25oC
pulsed
VGS=4V
VGS=0V
Ta=125oC
pulsed
Ta=125oC
pulsed
75oC
25oC
-25oC
75oC
25oC
-25oC
100
10
1
0.1
ID=8.5A
0.01
ID=4.75A
0.001
0
0.01
0.1
1
10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
3
6
9
12
15
Source-Drain Voltage : VSD [V]
Gate-Source Voltage : VGS [V]
Drain Current : ID [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Fig.5 Static Drain-Source
Fig.6 Source-Current vs.
Source-Drain Voltage
Resistance vs. Drain Current (3)
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
10000
1000
100
10000
1000
100
10
10
Ta=25oC
f=1MHz
Ta=25oC
Ta=25oC
VDD=25V
ID=8.5A
RG=10
VDD=25V
VGS=10V
RG=10
VGS=0V
Ciss
tf
Pulsed
Pulsed
Coss
Crss
td(off)
td(on)
5
tr
0
0
1
10
0.01
0.1
1
10
5
10
15
20
25
30
0.01
0.1
1
10
100
Drain Current : ID [A]
Total Gate Charge : Qg [nC]
Drain-Source Voltage : VDS [V]
Fig.8 Switching Characteristics
Fig.7 Typical capacitance vs.
Source-Drain Voltage
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
3/4
RSS085N05
Transistor
Measurement circuits
Ы´•» É·¼¬¸
çðû
ÊÙÍ
×Ü
ÊÜÍ
ëðû
ïðû
ëðû
ÊÙÍ
ÊÜÍ
ÎÔ
ïðû
ïðû
ÜòËòÌò
ÎÙ
ÊÜÜ
çðû
¨
çðû
¬¼ø±²÷
¬¼ø±ºº÷
¨
¬±²
¬±ºº
Ú·¹òïï Í©·¬½¸·²¹ Ì·³» É¿ª»º±®³•
Ú·¹òïð Í©·¬½¸·²¹ Ì·³» Ì»•¬ Ý·®½«·¬
ÊÙ
ÊÙÍ
×Ü
ÊÜÍ
Ϲ
ÎÔ
ÊÙÍ
×Ù øݱ²•¬ò÷
ÜòËòÌò
Ϲ•
Ϲ¼
ÎÙ
ÊÜÜ
ݸ¿®¹»
Ú·¹òïî Ù¿¬» ݸ¿®¹» Ì»•¬ Ý·®½«·¬
Ú·¹òïí Ù¿¬» ݸ¿®¹» É¿ª»º±®³
4/4
Appendix
Ò±¬»•
Ò± ¬»½¸²·½¿´ ½±²¬»²¬ °¿¹»• ±º ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ³¿§ ¾» ®»°®±¼«½»¼ ·² ¿²§ º±®³ ±® ¬®¿²•³·¬¬»¼ ¾§ ¿²§
³»¿²• ©·¬¸±«¬ °®·±® °»®³·••·±² ±º ÎÑØÓ ÝÑòôÔÌÜò
̸» ½±²¬»²¬• ¼»•½®·¾»¼ ¸»®»·² ¿®» •«¾¶»½¬ ¬± ½¸¿²¹» ©·¬¸±«¬ ²±¬·½»ò ̸» •°»½·º·½¿¬·±²• º±® ¬¸»
°®±¼«½¬ ¼»•½®·¾»¼ ·² ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ¿®» º±® ®»º»®»²½» ±²´§ò Ë°±² ¿½¬«¿´ «•»ô ¬¸»®»º±®»ô °´»¿•» ®»¯«»•¬
¬¸¿¬ •°»½·º·½¿¬·±²• ¬± ¾» •»°¿®¿¬»´§ ¼»´·ª»®»¼ò
ß°°´·½¿¬·±² ½·®½«·¬ ¼·¿¹®¿³• ¿²¼ ½·®½«·¬ ½±²•¬¿²¬• ½±²¬¿·²»¼ ¸»®»·² ¿®» •¸±©² ¿• »¨¿³°´»• ±º •¬¿²¼¿®¼
«•» ¿²¼ ±°»®¿¬·±²ò д»¿•» °¿§ ½¿®»º«´ ¿¬¬»²¬·±² ¬± ¬¸» °»®·°¸»®¿´ ½±²¼·¬·±²• ©¸»² ¼»•·¹²·²¹ ½·®½«·¬•
¿²¼ ¼»½·¼·²¹ «°±² ½·®½«·¬ ½±²•¬¿²¬• ·² ¬¸» •»¬ò
ß²§ ¼¿¬¿ô ·²½´«¼·²¹ô ¾«¬ ²±¬ ´·³·¬»¼ ¬± ¿°°´·½¿¬·±² ½·®½«·¬ ¼·¿¹®¿³• ·²º±®³¿¬·±²ô ¼»•½®·¾»¼ ¸»®»·²
¿®» ·²¬»²¼»¼ ±²´§ ¿• ·´´«•¬®¿¬·±²• ±º •«½¸ ¼»ª·½»• ¿²¼ ²±¬ ¿• ¬¸» •°»½·º·½¿¬·±²• º±® •«½¸ ¼»ª·½»•ò ÎÑØÓ
ÝÑòôÔÌÜò ¼·•½´¿·³• ¿²§ ©¿®®¿²¬§ ¬¸¿¬ ¿²§ «•» ±º •«½¸ ¼»ª·½»• •¸¿´´ ¾» º®»» º®±³ ·²º®·²¹»³»²¬ ±º ¿²§
¬¸·®¼ °¿®¬§ù• ·²¬»´´»½¬«¿´ °®±°»®¬§ ®·¹¸¬• ±® ±¬¸»® °®±°®·»¬¿®§ ®·¹¸¬•ô ¿²¼ º«®¬¸»®ô ¿••«³»• ²± ´·¿¾·´·¬§ ±º
©¸¿¬•±»ª»® ²¿¬«®» ·² ¬¸» »ª»²¬ ±º ¿²§ •«½¸ ·²º®·²¹»³»²¬ô ±® ¿®·•·²¹ º®±³ ±® ½±²²»½¬»¼ ©·¬¸ ±® ®»´¿¬»¼
¬± ¬¸» «•» ±º •«½¸ ¼»ª·½»•ò
Ë°±² ¬¸» •¿´» ±º ¿²§ •«½¸ ¼»ª·½»•ô ±¬¸»® ¬¸¿² º±® ¾«§»®ù• ®·¹¸¬ ¬± «•» •«½¸ ¼»ª·½»• ·¬•»´ºô ®»•»´´ ±®
±¬¸»®©·•» ¼·•°±•» ±º ¬¸» •¿³»ô ²± »¨°®»•• ±® ·³°´·»¼ ®·¹¸¬ ±® ´·½»²•» ¬± °®¿½¬·½» ±® ½±³³»®½·¿´´§
»¨°´±·¬ ¿²§ ·²¬»´´»½¬«¿´ °®±°»®¬§ ®·¹¸¬• ±® ±¬¸»® °®±°®·»¬¿®§ ®·¹¸¬• ±©²»¼ ±® ½±²¬®±´´»¼ ¾§
ÎÑØÓ ÝÑòô ÔÌÜò ·• ¹®¿²¬»¼ ¬± ¿²§ •«½¸ ¾«§»®ò
Ю±¼«½¬• ´·•¬»¼ ·² ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ¿®» ²± ¿²¬·®¿¼·¿¬·±² ¼»•·¹²ò
̸» °®±¼«½¬• ´·•¬»¼ ·² ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ¿®» ¼»•·¹²»¼ ¬± ¾» «•»¼ ©·¬¸ ±®¼·²¿®§ »´»½¬®±²·½ »¯«·°³»²¬ ±® ¼»ª·½»•
ø•«½¸ ¿• ¿«¼·± ª·•«¿´ »¯«·°³»²¬ô ±ºº·½»ó¿«¬±³¿¬·±² »¯«·°³»²¬ô ½±³³«²·½¿¬·±²• ¼»ª·½»•ô »´»½¬®·½¿´
¿°°´·¿²½»• ¿²¼ »´»½¬®±²·½ ¬±§•÷ò
͸±«´¼ §±« ·²¬»²¼ ¬± «•» ¬¸»•» °®±¼«½¬• ©·¬¸ »¯«·°³»²¬ ±® ¼»ª·½»• ©¸·½¸ ®»¯«·®» ¿² »¨¬®»³»´§ ¸·¹¸ ´»ª»´ ±º
®»´·¿¾·´·¬§ ¿²¼ ¬¸» ³¿´º«²½¬·±² ±º ©·¬¸ ©±«´¼ ¼·®»½¬´§ »²¼¿²¹»® ¸«³¿² ´·º» ø•«½¸ ¿• ³»¼·½¿´ ·²•¬®«³»²¬•ô
¬®¿²•°±®¬¿¬·±² »¯«·°³»²¬ô ¿»®±•°¿½» ³¿½¸·²»®§ô ²«½´»¿®ó®»¿½¬±® ½±²¬®±´´»®•ô º«»´ ½±²¬®±´´»®• ¿²¼ ±¬¸»®
•¿º»¬§ ¼»ª·½»•÷ô °´»¿•» ¾» •«®» ¬± ½±²•«´¬ ©·¬¸ ±«® •¿´»• ®»°®»•»²¬¿¬·ª» ·² ¿¼ª¿²½»ò
ß¾±«¬ Û¨°±®¬ ݱ²¬®±´ Ñ®¼»® ·² Ö¿°¿²
Ю±¼«½¬• ¼»•½®·¾»¼ ¸»®»·² ¿®» ¬¸» ±¾¶»½¬• ±º ½±²¬®±´´»¼ ¹±±¼• ·² ß²²»¨ ï ø׬»³ ïê÷ ±º Û¨°±®¬ Ì®¿¼» ݱ²¬®±´
Ñ®¼»® ·² Ö¿°¿²ò
ײ ½¿•» ±º »¨°±®¬ º®±³ Ö¿°¿²ô °´»¿•» ½±²º·®³ ·º ·¬ ¿°°´·»• ¬± þ±¾¶»½¬·ª»þ ½®·¬»®·¿ ±® ¿² þ·²º±®³»¼þ ø¾§ Ó×Ì× ½´¿«•»÷
±² ¬¸» ¾¿•·• ±º þ½¿¬½¸ ¿´´ ½±²¬®±´• º±® Ò±²óЮ±´·º»®¿¬·±² ±º É»¿°±²• ±º Ó¿•• Ü»•¬®«½¬·±²ò
Appendix1-Rev1.1
相关型号：
RSS090N03TB
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
ROHM
RSS090P03TB
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
ROHM
RSS0E561MCN1GS
Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (solid Polymer), 2.5V, 20% +Tol, 20% -Tol, 560uF, Surface Mount, 2626, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT
NICHICON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明