SCT4036KR [ROHM]
SCT4036KR是一款有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。;
| 型号： | SCT4036KR |
| 厂家： | 
ROHM |
| 描述： | SCT4036KR是一款有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。 开关 栅 驱动 驱动器 |
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SCT4045DE是一款有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4045DEHR是一款750V、34A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4045DR
SCT4045DR是有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4045DRHR是一款750V、34A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4045DW7是一款750V、31A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4045DW7HR是一款750V、31A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4062KE是一款有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4062KEHR是一款1200V、26A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4062KR
SCT4062KR是一款有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4062KRHR
SCT4062KRHR是一款1200V、26A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4062KW7是一款1200V、40A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT4062KW7HR是一款1200V、24A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT474K102D3B25-F
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CDE
SCT474K122D3B25-F
Snubber Film CapacitorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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CDE
SCT474K162D3B25-F
Snubber Film CapacitorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT474K162D3B28F
CAPACITOR, FILM/FOIL, 1600V, 0.47uF, CHASSIS MOUNT, ROHS COMPLIANTWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT474K162D3S23
CAPACITOR, FILM/FOIL, 1600V, 0.47uF, CHASSIS MOUNTWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT474K162D3SL25F
CAPACITOR, FILM/FOIL, 1600V, 0.47uF, CHASSIS MOUNT, ROHS COMPLIANTWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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