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数据表
电压检测器IC系列
低电压标准
CMOS电压检测器IC
BU48xx系列
BU49xx系列
●钥匙
特定网络阳离子
检测电压:
0.9V至4.8V
0.1V步骤
±1.0%
0.55μA (典型值)。
-40°C至+ 125°C
■一般
描述
ROHM的标准CMOS复位IC系列是高精度,
低电流消耗复位IC系列。此次推出的产品是
有两种输出类型( N沟道开漏,并建立
CMOS输出)和检测电压范围为0.9V至
4.8V在0.1V的增量,使该系列可以是
根据手头的应用而选择的。
■特点
超低消耗电流
高精确度的检测,超低电压检测
两种输出类型( N沟道开漏以及CMOS输出)
宽工作温度范围
非常小,低高度封装
包装SSOP5和SOP4类似SOT- 23-5和
SC- 82分别为( JEDEC )
Typical
应用电路
V
DD1
R
L
高精度检测电压:
超低消耗电流:
工作温度范围:
█Package
SSOP5
2.90毫米X 2.80毫米X 1.25毫米
SOP4
2.00毫米X 2.10毫米X 0.95毫米
VSOF5
1.60毫米X 1.60毫米X 0.60毫米
SOT89-3F
4.50毫米X 4.15毫米X 1.50毫米
■应用
使用微控制器和逻辑的所有电子设备
电路
V
DD2
V
DD1
BU48xx
C
IN
C
L
R
ST
调节器
BU49xx
C
IN
R
ST
调节器
C
L
(电容器
噪音过滤)
(电容器
噪音过滤)
GND
GND
(开
漏极开路输出型)
BU48xx系列
( CMOS
输出型)
BU49xx系列
“产品
结构:硅单片集成电路
•本
产品并非设计用于防止放射性射线
.
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BU48xx系列
BU49xx系列
数据表
●连接
图&引脚说明
SSOP5
顶视图
SOP4
顶视图
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
4
北卡罗来纳州
3
记号
V
OUT
V
DD
GND
地块。没有
记号
1
V
OUT
地块。没有
2
V
DD
功能
复位输出
电源电压
未连接的终端
GND
1
2
3
4
5
符号
V
OUT
V
DD
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
功能
复位输出
电源电压
GND
未连接的终端
未连接的终端
1
2
3
4
符号
V
OUT
V
DD
北卡罗来纳州
GND
VSOF5
顶视图
GND V
DD
4
5
SOT89-3F
顶视图
记号
Lot.No
记号
1 2 3
V
OUT
SUB N.C
1
2
3
4
5
地块。没有
1
V
OUT
1
2
3
符号
V
OUT
V
DD
GND
2
3
V
DD
GND
功能
复位输出
电源电压
GND
符号
V
OUT
北卡罗来纳州
V
DD
GND
功能
复位输出
基材*
未连接的终端
电源电压
GND
*衬底连接到V
DD
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BU48xx系列
BU49xx系列
数据表
“订购
信息
B
部分
U
x
x
x
x
x
-
T
R
输出类型
48 :漏极开路
49 : CMOS
复位电压值
09 : 0.9V
0.1V步骤
48 : 4.8V
G
: SSOP5
F
: SOP4
FVE : VSOF5
FP3 : SOT89-3F
包装
形成规范
TR :压花
TAPE
和卷轴
SSOP5
2.9±0.2
5
4
+
6
°
4
° −4°
<Tape和卷轴information>
TAPE
QUANTITY
方向
饲料
压纹载带
3000pcs
TR
方向是产品的1PIN数据是,当你持有的右上角
+0.2
1.6
−0.1
2.8±0.2
1
2
3
0.2Min.
(
卷轴上的左手拔出右手胶带
1pin
)
+0.05
0.13
−0.03
1.25Max.
1.1±0.05
0.05±0.05
+0.05
0.42
−0.04
0.95
0.1
进给方向
(单位:毫米)
REEL
订购数量需要是多个最小量的。
SOP4
+0.2
1.25 –0.1
2.0±0.2
1.3
4
3
VSOF5
0.2MAX
+6
°
4
°
–4
°
1.6±0.05
1.0±0.05
5
4
0.27±0.15
0.9±0.05
1
2
0.05
+0.05
0.13 –0.03
S
1.05Max.
( MAX 1.28包括BURR )
2.1±0.2
1.6
±
0.05
1.2
±
0.05
1
2
3
0.13±0.05
0.6MAX
0.05±0.05
+0.05
0.42 –0.04
0.1
+0.05
0.32 –0.04
S
0.5
0.22±0.05
(单位:毫米)
(单位:毫米)
SOT89-3F
0.61
3
0.42±0.02
S
4.5±0.1
4.15±0.1
1
1.6MAX
2
1.50
0.425±0.045
0.505±0.045
(单位:毫米)
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2.5±0.1
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BU48xx系列
Lineup
BU49xx系列
数据表
输出类型
检测电压标记
4.8V
4.7V
4.6V
4.5V
4.4V
4.3V
4.2V
4.1V
4.0V
3.9V
3.8V
3.7V
3.6V
3.5V
3.4V
3.3V
3.2V
3.1V
3.0V
2.9V
2.8V
2.7V
2.6V
2.5V
2.4V
2.3V
2.2V
2.1V
2.0V
1.9V
1.8V
1.7V
1.6V
1.5V
1.4V
1.3V
1.2V
1.1V
1.0V
0.9V
JR
JQ
JP
JN
JM
JL
JK
JJ
JH
JG
JF
JE
JD
JC
JB
JA
HZ
HY
HX
HW
HV
HU
HT
HS
HR
HQ
HP
HN
HM
HL
HK
HJ
HH
HG
HF
HE
HD
HC
HB
HA
漏极开路
产品型号
BU4848
BU4847
BU4846
BU4845
BU4844
BU4843
BU4842
BU4841
BU4840
BU4839
BU4838
BU4837
BU4836
BU4835
BU4834
BU4833
BU4832
BU4831
BU4830
BU4829
BU4828
BU4827
BU4826
BU4825
BU4824
BU4823
BU4822
BU4821
BU4820
BU4819
BU4818
BU4817
BU4816
BU4815
BU4814
BU4813
BU4812
BU4811
BU4810
BU4809
记号
LH
LG
LF
LE
LD
LC
LB
LA
KZ
KY
KX
KW
KV
KU
KT
KS
KR
KQ
KP
KN
KM
KL
KK
KJ
KH
KG
KF
KE
KD
KC
KB
KA
JZ
JY
JX
JW
JV
JU
JT
JS
CMOS
产品型号
BU4948
BU4947
BU4946
BU4945
BU4944
BU4943
BU4942
BU4941
BU4940
BU4939
BU4938
BU4937
BU4936
BU4935
BU4934
BU4933
BU4932
BU4931
BU4930
BU4929
BU4928
BU4927
BU4926
BU4925
BU4924
BU4923
BU4922
BU4921
BU4920
BU4919
BU4918
BU4917
BU4916
BU4915
BU4914
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BU48xx系列
BU49xx系列
数据表
“绝对
最大额定值
参数
符号
范围
单位
电源电压
V
DD
-0.3到+7
V
N沟道开漏输出
GND - 0.3 〜+ 7
输出电压
V
OUT
V
CMOS输出
GND - 0.3 V
DD
+0.3
输出电流
Io
70
mA
*1*4
SSOP5
540
动力
*2*4
SOP4
Pd
400
mW
耗散
*3*4
VSOF5
210
工作温度范围
T
选择
-40到+125
°C
保存环境温度
TSTG
-55到+125
* 1在温度比用钽较高时= 25 ℃时,功率由5.4mW每1 ℃降低了25℃以上。
* 2在温度比用钽较高时= 25 ℃时,功率由4.0mW时每1 ℃降低了25℃以上。
* 3在温度比用钽较高时= 25 ℃时,功率由2.1mW每1 ℃降低了25℃以上。
* 4当ROHM的标准电路板( 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米,玻璃环氧树脂板)安装。
ⅵELECTRICAL
特征
参数
符号
条件
V
DD
= H L ,TA = 25 ℃ ,R
L
=470kΩ
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至125°C
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至125°C
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至125°C
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至125°C
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至125°C
*1
VDET=1.8V
VDET=2.5V
检测电压
V
DET
VDET=3.0V
VDET=3.3V
VDET=4.2V
检测电压
温度COEF网络cient
滞后电压
V
DET
/ ΔT TA = -40 ℃至125℃
V
DD
= L H L
TA = -40 ℃至125℃
R
L
=470kΩ
分钟。
V
DET
(T)
×0.99
1.782
1.741
1.731
2.475
2.418
2.404
2.970
2.901
2.885
3.267
3.191
3.173
4.158
4.061
4.039
-
范围
典型值。
V
DET
(T)
1.8
-
-
2.5
-
-
3.0
-
-
3.3
-
-
4.2
-
-
±30
V
DET
×0.05
V
DET
×0.05
马克斯。
V
DET
(T)
×1.01
1.818
1.860
1.870
2.525
2.584
2.597
3.030
3.100
3.117
3.333
3.410
3.428
4.242
4.341
4.364
-
V
DET
×0.08
V
DET
×0.07
单位
V
PPM / °
V
DET
≤1.0V
V
DET
≥1.1V
∆V
DET
V
DET
×0.03
V
DET
×0.03
V
* 1通过设计保证。 (去检查是不是对所有的产品进行。 )
V
DET
(T ) :标准检测电压( 0.9V至4.8V , 0.1V步)
R
L
:上拉电阻连接V之间
OUT
和电源。
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相关元器件产品Datasheet PDF文档

BU4929F

Low Voltage Detector IC
暂无信息
12 ROHM

BU4929F

Low Voltage Detector IC
暂无信息
2 ROHM

BU4929FVE-TR

Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, +2.9VV, CMOS, PDSO5, VSOP-4
暂无信息
1 ROHM
    BU4929
    应用领域和描述

    Low Voltage Standard CMOS Voltage Detector ICs Ultra-low current consumption
    低电压标准CMOS电压检测器IC的超低电流消耗

    总16页 (405K) ROHM
    ROHM
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