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B82731H2351A030  B82731T2551A020  B82731M2701A030  B82724J2332N001  B82725J2402N020  B82730U3451A020  B82725A2202N001  B82724J2222N020  B82731T2301A020  B82730U3951A020  
BU9882-W EDID存储器(显示) (EDID Memory (For display))
.型号:   BU9882-W
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描述: EDID存储器(显示)
EDID Memory (For display)
文件大小 :   653 K    
页数 : 23 页
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品牌   ROHM [ ROHM ]
购买 :   
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100%
BR24C21,BR24C21F,BR24C21FJ,BR24C21FV,
BU9882-W,BU9882F-W,BU9882FV-W
技术说明
BU9882-W,BU9882F-W,BU9882FV-W
描述
BU9882F -W BU9882FV - W分别与DDC2兼容双端口的EEPROM
TM
。 2个独立的端口允许
2 EDID,信道被同时读出。
特点
TM
1 )设计用于DDC2使用
2 ) 2端口同时读取功能
3 )工作电压范围: 2.5V - 5.5V
4 )页写入功能: 8个字节
5 )低功耗:
主动(在5V ) : 1.5毫安(典型值)
待机(在5V时) : 0.1μA (典型值)
6 )数据安全
写保护, WP
写保护,在低电源电压
7 )各种封装类型: DIP14 ( BU9882 -W ) / SOP14 ( BU9882F -W ) / SSOP14 ( BU9882FV -W )
8 )初步数据: FFH
9 )数据保存: 10年
10 )可重写可达10万次
绝对最大额定值
参数
电源电压
符号
V
CC
Pd
TSTG
TOPR
-
950
450
350
功耗
储存温度
操作
温度
端电压
等级
-0.3
�½�
+6.5
(DIP14)
(SOP14)
(SSOP14)
-65
�½�
+125
-40
�½�
+85
单位
V
*1
*2
*3
mW
-0.3
�½�
V
CC
+1.0
*4
V
* 9.5毫瓦缩小/
下花25
C( * 1 ) , 4.5MW /
(* 2) , 3.5MW /
(*3).
* 4 6.8V (最大)
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
VCC
VIN
等级
2.5
�½�
5.5
0
�½�
VCC+1.0
单位
V
V
存储单元的特性
参数
写入/擦除周期
分钟。
100,000
10
范围
典型值。
-
-
马克斯。
-
-
单位
周期
YEAR
数据保留
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