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S T U / D302S
S amHop微电子Ç ORP 。
4月3日
,
2006
NC hannel逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
30V
˚F ê乌尔(E S)
( m
)
I
D
50 A
R
DS ( ON)
9
12
最大
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
@ V
的s
= 10V
@ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU性S E ř IE S
TO- 252AA (D -P AK )
的TD性S E ř IE S
的TO- 251 (1- P AK)的
S
ABS OLUTE最大R ATINGS ( TA = 25 C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous
-P ulsed
a
S ymbol
V
DS
V
GS
@ T
C
=25 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
20
50
180
20
50
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
最大P奥尔耗散@ TC = 25℃
工作和S torage温度ř法兰
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到C的酶
热ř esistance ,结到环境
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
1
S T U / D302S
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
关煤焦ACTE R是TICS
5
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
Rg
b
S ymbol
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 10A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ,我
D
= 10A
最小值典型值
C
最大单位
30
1
V
uA
100 nA的
1
1.7
7
10
50
22
1020
325
225
0.25
18
33
37
28
3
9
12
V
兆欧
兆欧
对煤焦ACTE R是TICS
a
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老ř esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
b
输入电容
输出电容
ř EVERSE传输电容
栅极电阻
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1.0MH
Z
V
DD
= 15V
I
D
= 1 A
V
GS
= 10V
R
GE ñ
= 6欧姆
V
DS
= 15V ,我
D
=20A,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ,我
D
=20A,V
GS
=4.5V
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 15V ,我
D
= 20A
V
GS
=10V
2
欧姆
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ř ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
26
13
2.3
8.2
S T U / D302S
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 10A
最小典型最大单位
0.83
1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
笔记
a.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计b.Guaranteed ,不受生产测试。
80
V
的s
=4.5V
20
64
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
V
的s
=8V
V
的s
=10V
V
的s
=4V
15
-55 C
10
T J = 125℃
5
25 C
48
32
V
的s
=3.5V
16
V
的s
=3V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
18
1.5
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
R
DS ( ON)
,在-R es是tance
15
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.0
V
的s
=4.5V
I
D
=10A
V
的s
=10V
I
D
=20A
R
DS ( ON)
(m
)
12
9
6
V
的s
=4.5V
V
的s
=10V
3
0
1
16
32
48
64
80
0
25
50
75
100
125
150
T J ( C)
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前ç
和G吃了V oltage
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
Ç排水光凭目前与温度
3
S T U / D302S
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
6
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
30
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
I
D
=20A
是,S环境允许的漏电流( A)
25
75 C
10.0
25 C
R
DS ( ON)
(m
)
20
75 C
15
125 C
10
25 C
5
0
125 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
的s
,G ate- S环境允许的电压(V )
V
S.D。
,B ODY二极管˚F orward V oltage ( V)
˚F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
4
S T U / D302S
1200
V
的s
,G连吃向S环境允许的V oltage ( V)
C为S
1000
10
8
6
4
2
0
V
DS
=15V
I
D
=20A
C,C apacitance (PF )
800
600
400
Ç RS s
200
0
Ç OS s
6
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
35 40
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
QG ,T otal摹吃ç哈耶( NC)
˚F igure 9 Ç apacitance
˚F igure 10摹吃Ç哈耶
220
Tr
600
100
N)
(O
S
S魔力牛逼IME ( NS )
升IM
吨D(关闭)
it
Tf
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
100
60
10
吨D(上)
10
DC
10
1m
ms
s
0m
10
R
D
s
1s
1
1
V DS = 15V , ID = 1A
V G S = 10V
1
0.5
0.1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
6 10
60 100 300 600
1
10
30 60
R G ,G吃ř ES是tance (
)
V
DS
,排水-S环境允许的V oltage ( V)
˚F igure 11.s魔力characteris抽动
˚F igure 12和最大S AFE
操作摄像区
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