电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
AME8805GEFT  AME8805HEGT  AME8805DEGT  AME8805FEFT  AME8805AEGT  AME8805CEFT  AME8805FEGT  AME8805CEGT  AME8805JEFT  AME8805IEFT  
STD302S N沟道逻辑E级nhancement模式场效应晶体管 (N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor)
.型号:   STD302S
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: N沟道逻辑E级nhancement模式场效应晶体管
N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小 :   196 K    
页数 : 9 页
Logo:   
品牌   SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
购买 :   
  浏览型号STD302S的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号STD302S的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号STD302S的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号STD302S的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号STD302S的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号STD302S的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号STD302S的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号STD302S的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
S T U / D302S
S amHop微电子Ç ORP 。
4月3日
,
2006
NC hannel逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
30V
˚F ê乌尔(E S)
( m
)
I
D
50 A
R
DS ( ON)
9
12
最大
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
@ V
的s
= 10V
@ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU性S E ř IE S
TO- 252AA (D -P AK )
的TD性S E ř IE S
的TO- 251 (1- P AK)的
S
ABS OLUTE最大R ATINGS ( TA = 25 C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous
-P ulsed
a
S ymbol
V
DS
V
GS
@ T
C
=25 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
20
50
180
20
50
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
最大P奥尔耗散@ TC = 25℃
工作和S torage温度ř法兰
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到C的酶
热ř esistance ,结到环境
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
1
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7