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S T U / D3525NL
S amHop微电子Ç ORP 。
ARP, 2005年20了Ver.1.1
NC hannel逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
25V
˚F ê乌尔(E S)
( m
W
)
I
D
35A
R
DS ( ON)
牛逼YP
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
12.5 @ V
的s
= 10V
25 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU性S E ř IE S
TO- 252AA (D -P AK )
的TD性S E ř IE S
的TO- 251 (1- P AK)的
S
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许目标电压r阿婷
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous
b
-P ulsed
a
S ymbol
Vspike
d
V
DS
V
GS
@ T
C
=25 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
25
20
35
75
20
50
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
最大P奥尔耗散@ TC = 25℃
工作和S torage温度ř法兰
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到C的酶
热ř esistance ,结到环境
1
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
S T U / D3525NL
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 5A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ,我
D
= 10A
最小值典型值
C
最大单位
25
1
V
uA
100 nA的
1
1.8
12.5
25
25
11
825
255
150
3
45
V
兆欧
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老ř esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
18
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
ř EVERSE传输电容
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ř ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
V
DD
= 15V
I
D
= 1A
V
GS
= 10V
R
GE ñ
= 6欧姆
V
DS
= 15V ,我
D
=10A,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ,我
D
=10A,V
GS
=4.5V
V
DS
= 15V ,我
D
=10A
V
GS
=10V
7.5
20.3
16.7
15.2
15.9
8.3
3.3
4.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S T U / D3525NL
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
S ymbol
条件
最小典型最大单位
0.97
1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
二极管的正向电压
V
GS
= 0V ,是= 20A
V
SD
笔记
A.Ş urface安装在FR 4局,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Guaranteed当外部R G = 6欧姆和TF < TF最大
20
V
的s
=4.5V
V
的s
=10V
V
的s
=8V
V
的s
=5V
20
16
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
V
的s
=4V
12
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
15
10
T J = 125℃
5
25 C
0
0
0.9
1.8
2.7
-55 C
8
4
0
V
的s
=3V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.6
4.5
5.4
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
1500
1.8
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
R
DS ( ON)
,在-R es是tance
1250
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-55
V
的s
=10V
I
D
=10A
C,C apacitance (PF )
1000
750
500
C为S
Ç OS s
250
0
Ç RS s
0
5
10
15
20
25
30
-25
0
25
50
75
100 125
T J ( C)
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 3. Ç apacitance
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
Ç排水光凭目前与温度
3
S T U / D3525NL
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
ID=250uA
6
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
18
V
DS
=10V
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
g
F小号
,T失败者电导( S)
是,S环境允许的漏电流( A)
15
12
9
6
3
0
0
5
10
15
20
10.0
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
DS
,排水-S环境允许光凭目前ç (A )
V
S.D。
,B ODY二极管˚F orward V oltage ( V)
˚F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前Ç
10
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
400
V
的s
,G连吃向S环境允许的V oltage ( V)
8
6
4
2
0
0
V
DS
=15V
I
D
=10A
100
R
(
DS
)
ON
升IM
it
10
10
1s
DC
ms
0m
10 1
s
1
0.1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10 25
60
3
6
9
12
15
18
21 24
QG ,T otal摹吃ç哈耶( NC)
V
DS
,排水-S环境允许的V oltage ( V)
˚F igure 9.摹吃Ç哈耶
4
˚F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S T U / D3525NL
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE ñ
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D(上)
V
OUT
t
D(关闭)
90%
10%
t
f
10%
INVE ř TE ð
6
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
˚F igure为11,S魔力牛逼ES吨碳ircuit
˚F igure 12 S魔力波形
10
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
P
DM
t
1
on
0.1
0.05
0.02
0.01
1.
2.
3.
4.
t
2
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.00001
R
THJ一
(吨) = R (t)的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
Ĵ M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班Ç ycle ,D = T
1
/t
2
100
1000
方波脉冲持续时间(秒)
归瞬态热阻抗曲线
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