2N4123 [SAMSUNG]

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR; NPN外延硅晶体管
2N4123
元器件型号: 2N4123
生产厂家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和应用:

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NPN外延硅晶体管

晶体 晶体管
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型号参数:2N4123参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Active
IHS 制造商CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Reach Compliance Codenot_compliant
风险等级5.7
基于收集器的最大容量4 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1