BD379-25 [SAMSUNG]

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin;
BD379-25
元器件型号: BD379-25
生产厂家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和应用:

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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型号参数:BD379-25参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.76
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)150
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1