元器件型号: | BD379-25 |
生产厂家: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
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型号参数:BD379-25参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.76 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 2 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 150 |
JEDEC-95代码 | TO-126 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 25 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 1 V |
Base Number Matches | 1 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin