元器件型号: | K4D263238G-GC36 |
生产厂家: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | 128Mbit GDDR SDRAM |
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型号参数:K4D263238G-GC36参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | FBGA, BGA144,12X12,32 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.92 |
最长访问时间 | 0.6 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 275 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 2,4,8 |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B144 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 32 |
端子数量 | 144 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
最高工作温度 | 65 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4MX32 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA |
封装等效代码 | BGA144,12X12,32 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源 | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 |
连续突发长度 | 2,4,8 |
最大待机电流 | 0.015 A |
子类别 | DRAMs |
最大压摆率 | 0.392 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
Base Number Matches | 1 |
128Mbit GDDR SDRAM
的128Mbit GDDR SDRAM