K4D263238G-GC36 [SAMSUNG]

128Mbit GDDR SDRAM; 的128Mbit GDDR SDRAM
K4D263238G-GC36
元器件型号: K4D263238G-GC36
生产厂家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和应用:

128Mbit GDDR SDRAM
的128Mbit GDDR SDRAM

动态存储器 双倍数据速率
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型号参数:K4D263238G-GC36参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
包装说明FBGA, BGA144,12X12,32
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.92
最长访问时间0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)275 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B144
JESD-609代码e0
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度32
端子数量144
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA144,12X12,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.015 A
子类别DRAMs
最大压摆率0.392 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1