K4H560838D-TCA0

更新时间:2024-09-18 02:28:05
品牌:SAMSUNG
描述:128Mb DDR SDRAM

K4H560838D-TCA0 概述

128Mb DDR SDRAM 128MB DDR SDRAM DRAM

K4H560838D-TCA0 规格参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46针数:66
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.75
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.8 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
JESD-609代码:e0长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:66
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.003 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.235 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4H560838D-TCA0 数据手册

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K4H560838D-TCA0 替代型号

型号 制造商 描述 替代类型 文档
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